Verfahren zur Herstellung von metallisierten Verbindungsstrukturen in einem integrierten Schaltkreis,申请号DE20016027767-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung von metallisierten Verbindungsstrukturen in einem integrierten Schaltkreis
摘要
申请公布号	DE60127767(D1)	申请公布日期	2007.05.24
申请号	DE20016027767	申请日期	2001.06.14
申请人	CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP.	发明人	BLOSSE, ALAIN;THEDKI, SANJAY;QIAO, JIANMIN;GILBOA, YITZHAK
分类号	H01L21/28;H01L21/768;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/60	主分类号	H01L21/28
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