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Die Erfindung betrifft eine Leuchtdiode mit einer großen Helligkeit. Die Leuchtdiode umfaßt ein Halbleitersubstrat (12), das auf der hinteren Elektrode (10) gebildet ist, eine Schichtstruktur (14), die auf dem Halbleitersubstrat gebildet ist und eine untere Hüllschicht (140), eine aktive Schicht (142) und eine obere Hüllschicht (144) aufweist, eine Fensterschicht (16), die auf der oberen Hüllschicht gebildet ist und im Bereich nicht unter der vorderen Elektrode eine Ringnut mit vorgegebener Tiefe aufweist, die durch Ätzen geformt ist, eine Kontaktschicht (17), die auf der Fensterschicht außerhalb des Bereiches unter der vorderen Elektrode gebildet ist, eine leitfähige transparente Schicht (15), die im Randbereich auf der Kontaktschicht gebildet ist und mit der Kontaktschicht zu einem ohmschen Kontakt führt und im restlichen Bereich auf der Fensterschicht gebildet ist und mit der Fensterschicht zu einer Shottky-Sperre führt, und eine vordere Elektrode.
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