| 发明名称 |
Verfahren zum Einebnen aktiver Schichten von TMR-Bauelementen auf einer Halbleiterstruktur |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE102004034820(B4) |
申请公布日期 |
2007.05.24 |
| 申请号 |
DE200410034820 |
申请日期 |
2004.07.19 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. |
发明人 |
NUETZEL, JOACHIM |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L21/336;H01L21/4763;H01L27/22 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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