| 发明名称 | 半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器件包括在半导体衬底上平行排列的多个位线结构，并具有多个位线和围绕位线的绝缘材料，形成在位线结构之间的空间部分的隔离层，以限定预定的有源区，并与位线结构具有基本相同的高度，半导体层形成在由位线结构和隔离层围绕的预定的有源区中，并与位线结构和隔离层具有基本相同的高度，在位线结构、隔离层和半导体层上平行排列多个字线结构，并包括多个字线和围绕字线的绝缘材料，并且在字线结构两侧的硅层上形成源极和漏极区。 | ||
| 申请公布号 | CN1317769C | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN03123468.2 | 申请日期 | 2003.05.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金志永 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上平行排列的多个位线结构，每个位线结构包括位线和围绕位线的绝缘材料；形成在位线结构之间的空间中的隔离层，以限定预定的有源区；在由位线结构和隔离层围绕的预定的有源区中形成半导体层，半导体层具有与位线结构相同的高度；在位线结构、隔离层和半导体层上平行排列多个字线结构，字线结构包括多个字线和围绕字线的绝缘材料；以及在字线结构两侧的半导体层中形成的源极区和漏极区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||