降低半导体晶片磨蚀的化学机械磨平组合物

摘要

一种含水化学机械磨平组合物包括用于促进阻隔层去除的氧化剂和磨料。缓蚀剂降低了互连金属的去除。该组合物具有包含至少一种含至少两个羧酸官能度的聚合物重复单元的羧酸聚合物，pH值低于或等于4，在磨盘压力为13.8千帕下，氮化钽去除速率为铜去除速率的至少80％。

主权项

1.一种水性化学机械磨平组合物，该组合物包含：促进阻隔层去除的氧化剂；磨料；降低互连金属去除的缓蚀剂；以及水溶性聚马来酸，其中用无机pH调节剂将该化学机械磨平组合物的pH值调节到小于4，所述无机pH调节剂是酸；在磨盘压力为13.8千帕时的氮化钽的去除速率为铜去除速率的至少80％。