发明名称 |
静电放电保护电路 |
摘要 |
本发明提供一种静电放电保护电路,其包含一半导体衬底、三设置于该半导体衬底上的第一、第二及第三P型阱,该第一P型阱上设置有一第一P<SUP>+</SUP>渗杂区及一第一N<SUP>+</SUP>渗杂区,该第一P<SUP>+</SUP>渗杂区及该第一N<SUP>+</SUP>渗杂区接地,该第二P型阱上设置有一第二P<SUP>+</SUP>渗杂区及一第二N<SUP>+</SUP>渗杂区,该第二P<SUP>+</SUP>渗杂区及该第二N<SUP>+</SUP>渗杂区连接于电源供应电压V<SUB>DD</SUB>,该第三P型阱上设置有一第三N<SUP>+</SUP>渗杂区、一第三P<SUP>+</SUP>渗杂区、及一第四N<SUP>+</SUP>渗杂区,该第三N<SUP>+</SUP>渗杂区、该第三P<SUP>+</SUP>渗杂区及第四N<SUP>+</SUP>渗杂区用来输出入信号。 |
申请公布号 |
CN1317763C |
申请公布日期 |
2007.05.23 |
申请号 |
CN200410044551.4 |
申请日期 |
2004.05.13 |
申请人 |
威盛电子股份有限公司 |
发明人 |
郑念祖;何志龙;施博议 |
分类号 |
H01L23/60(2006.01);H02H9/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/60(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
王志森;黄小临 |
主权项 |
1.一种用于一射频电路的静电放电保护电路,该静电放电保护电路包含有:至少一个静电放电保护单元,其中每一个该静电放电保护单元均包含有:一导引装置;以及一等效电容,其第一端耦接至该导引装置,并且其第二端耦接至一共接地点;其中当有多个该静电放电保护单元组成该静电放电保护电路时,则该多个静电放电保护单元呈串接状。 |
地址 |
台湾省台北县 |