| 发明名称 | 金属电阻器装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造金属薄膜电阻器件的方法，包括利用热氧化工艺在绝缘基体上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上涂覆光敏膜；利用光敏膜对第一绝缘膜构图，以形成绝缘膜图案；在绝缘膜图案和光敏膜中形成金属薄膜；在绝缘膜图案内形成金属薄膜图案；在绝缘膜图案上和金属薄膜图案上形成第二绝缘膜；将导线连接到金属薄膜图案的衬垫区；以及在导线上部和导线周边部分上形成钝化层利用构图工艺通过蚀刻绝缘膜来形成金属薄膜图案，可以克服器件退化或者寿命降低的问题，易于控制金属薄膜电阻器件的电阻值。 | ||
| 申请公布号 | CN1317720C | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN02805449.0 | 申请日期 | 2002.02.22 |
| 申请人 | 伊诺斯泰克有限公司 | 发明人 | 河朝雄;金承贤;李东洙;禹贤廷;朴东衍 |
| 分类号 | H01C7/00(2006.01) | 主分类号 | H01C7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 张天舒;顾红霞 |
| 主权项 | 1.一种制造金属薄膜电阻器件的方法，包括如下步骤：利用热氧化工艺在绝缘基体上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上涂覆光敏膜；利用光敏膜对第一绝缘膜构图，以形成绝缘膜图案；在绝缘膜图案和光敏膜中形成金属薄膜；在绝缘膜图案内形成金属薄膜图案；在绝缘膜图案上和金属薄膜图案上形成第二绝缘膜；将导线连接到金属薄膜图案的衬垫区；以及在导线上部和导线周边部分上形成钝化层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||