| 发明名称 | 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选择一大失配衬底；(2)在大失配衬底上生长氧化物缓冲层，氧化物缓冲层可以缓解衬底与氮化镓薄膜之间的晶格失配，阻隔金属镓与衬底反应；(3)在氧化物缓冲层上生长外延层。 | ||
| 申请公布号 | CN1967778A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200510086899.4 | 申请日期 | 2005.11.17 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘喆;李晋闽;王军喜;王晓亮;王启元;刘宏新;王俊;曾一平 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);C01G15/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选择一大失配衬底；(2)在大失配衬底上生长氧化物缓冲层，氧化物缓冲层可以缓解衬底与氮化镓薄膜之间的晶格失配，阻隔金属镓与衬底反应；(3)在氧化物缓冲层上生长外延层。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||