发明名称 |
硅传声器 |
摘要 |
本发明硅传声器,是一种工艺简单的电容式硅传声器,其为振膜在上、背极在下的硅传声器结构,振膜通过悬梁与周围边框相连,振膜上有凹槽支撑振膜。振膜上设有无数小孔,配合悬臂梁结构充分释放振膜的内应力,减小振膜的刚性,提高振膜的机械灵敏度;这些小孔同时作为减小声阻的声孔和腐蚀牺牲层的孔,可以制作出小背极结构,增加背极的刚性,同时也可以减小芯片的尺寸。本发明具有高灵敏度、低噪声、频带宽的特性,芯片的体积小,制作工艺简单,容易批量实现。 |
申请公布号 |
CN1968547A |
申请公布日期 |
2007.05.23 |
申请号 |
CN200510114889.7 |
申请日期 |
2005.11.18 |
申请人 |
青岛歌尔电子有限公司 |
发明人 |
宋青林;乔峰;梅嘉欣 |
分类号 |
H04R19/04(2006.01);H04R19/01(2006.01) |
主分类号 |
H04R19/04(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1.一种硅传声器,为电容式硅传声器,包括硅衬底、体硅腐蚀阻挡层、背极、绝缘层、牺牲层、振膜以及金属电极,其特征在于:为振膜在上、背极在下的硅传声器结构,振膜通过悬梁与周围边框相连,振膜上有凹槽支撑振膜;振膜上设有无数小孔,配合悬臂梁结构充分释放振膜的内应力,减小振膜的刚性,提高振膜的机械灵敏度;振膜上的小孔同时作为减小声阻的声孔和腐蚀牺牲层的孔,以制作出小背极结构,增加背极的刚性,同时也减小芯片的尺寸。 |
地址 |
260061山东省青岛市高新区创业大厦605 |