| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：半导体衬底，其具有源区/漏区；栅电极，其形成于该半导体衬底上；第一金属间介电层，其形成于该半导体衬底上并具有第一镶嵌图案；第一阻挡层，其形成于第一镶嵌图案上；第一金属线，其形成于该第一阻挡层上；以及第一金属覆盖层，其形成于该第一镶嵌图案中。 | ||
| 申请公布号 | CN1967845A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200610160352.9 | 申请日期 | 2006.11.15 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 洪志镐 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，其具有源区/漏区；栅电极，其形成于该半导体衬底上；第一金属间介电层，其形成于该半导体衬底上并具有第一镶嵌图案；第一阻挡层，其形成于该第一镶嵌图案上；第一金属线，其形成于该第一阻挡层上；以及第一金属覆盖层，其形成于该第一镶嵌图案中。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||