发明名称 |
常压等离子体处理方法及其装置 |
摘要 |
提供一种常压等离子处理方法及其装置,是在大气压附近压力下,在一对相对电极的至少一个相对面上设置固体电介质,在该一对相对电极之间导入处理气体并在电极间施加电场,使得到的等离子体与被处理物体接触处理被处理物体的方法,其特征在于从该等离子体与被处理物体接触的处理部附近排出处理过的气体,利用气体气氛调整机构使该处理部附近保持在特定的气体气氛下。 |
申请公布号 |
CN1317423C |
申请公布日期 |
2007.05.23 |
申请号 |
CN01818852.4 |
申请日期 |
2001.11.14 |
申请人 |
积水化学工业株式会社 |
发明人 |
屋良卓也;汤浅基和;本间孝治;高妻诚 |
分类号 |
C23C16/54(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/302(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/54(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李香兰 |
主权项 |
1.一种常压等离子体处理方法,是在大气压附近压力下,在一对相对电极之间导入处理气体,使在电极间施加电场得到的等离子体自吹出口与被处理物体接触以处理被处理物体,同时从设置在上述吹出口附近的排气通路排出处理过气体的常压等离子体处理方法,其特征在于:通过充分增大排气通路的面积,进而使与被处理物体的间隙减小,使泄漏气体通路的截面积充分减小,以使上述排气通路的传导率大于吹出口与被处理气体之间形成的泄漏气体通路的传导率下进行等离子体处理,使处理空间密封。 |
地址 |
日本大阪府 |