发明名称 |
蚀刻方法、有多个凹部的基板、微透镜基板、透射屏和背面投影仪 |
摘要 |
公开了一种蚀刻方法,包括以下步骤:准备基板5;在基板上形成第一和第二膜(61)和(62),每层膜具有预定的内应力,从而第一和第二膜(61、62)的内应力互相抵消或相减;在第一和第二膜(61、62)中形成多个初始孔(63),以形成掩模(6);和通过利用掩模(6)使基板(5)经受蚀刻过程,而在基板(5)上对应多个初始孔(63)的部位形成多个凹部(3)。 |
申请公布号 |
CN1317738C |
申请公布日期 |
2007.05.23 |
申请号 |
CN200410081717.X |
申请日期 |
2004.12.21 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
清水信雄;山下秀人;石井诚 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);G02B3/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
宋合成 |
主权项 |
1.一种蚀刻方法,包括以下步骤:准备基板;在基板上形成第一和第二膜,每层膜具有预定的内应力,从而第一和第二膜的内应力互相抵消或相消减;在第一和第二膜中形成多个初始孔,以形成掩模;和通过利用掩模使基板经受蚀刻过程,而在基板上对应多个初始孔的部位形成多个凹部,其中第一和第二膜形成步骤包括:在基板上形成第一膜;和在第一膜上形成第二膜,其中第二膜形成步骤包括通过相对于第一膜的平均厚度调节第二膜的平均厚度来控制整个第一膜和第二膜的内应力,在第一膜的平均厚度和第二膜的平均厚度分别设定为X纳米和Y纳米的情况下,X和Y满足关系式:0.01≤X/Y≤0.8。 |
地址 |
日本东京 |