| 发明名称 | 具有准自对准源极/漏极FinFET的半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 提供一种形成包括多个鳍片场效应晶体管器件的半导体结构的方法，在该方法中采用交叉掩模提供矩形图形，以与化学氧化物去除(COR)工艺一起限定相对薄的鳍片。本发明还包括通过使用选择性含硅材料合并相邻鳍片的步骤。本发明还涉及利用本发明的方法形成得到的半导体结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1967812A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200610144540.2 | 申请日期 | 2006.11.10 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | E·J·诺瓦克;T·卢德维格;M·艾昂;欧阳齐庆 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体结构的方法，包括以下步骤：提供包括多个构图的材料叠层以及多个构图的光掩模的结构，所述多个构图的材料叠层包括半导体衬底的表面上的氧化物硬掩模的顶上的氮化物层，所述多个构图的光掩模交叉所述多个构图的材料叠层；进行化学氧化物去除步骤，所述化学氧化物去除步骤横向蚀刻，至少暴露未被一个所述构图的光掩模保护的每个材料叠层的所述氧化物硬掩模的侧壁；去除所述多个构图的光掩模，以暴露包括所述氮化物层下方的横向蚀刻的氧化物硬掩模的构图的材料叠层；进行对所述横向蚀刻的氧化物硬掩模有选择性的各向异性蚀刻工艺，以去除所述氮化物层和未被所述横向蚀刻的氧化物硬掩模保护的所述半导体衬底的任何半导电材料的至少上部，由此形成鳍片；以及形成交叉所述鳍片的多个栅极区。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||