发明名称 |
半导体装置钝化方法 |
摘要 |
本发明公开一种半导体装置钝化(passivating)方法,其包括对一半导体装置进行一高压退火处理(high pressure annealing)以及对该半导体装置进行一等离子体处理(plasma treatment),用以消除在进行高压退火处理后,积累于该半导体装置内的电荷。该等离子体处理所使用的工艺气体可以是氮、氢、水、一氧化二氮、氧、氨或其混合物。 |
申请公布号 |
CN1317747C |
申请公布日期 |
2007.05.23 |
申请号 |
CN200310113816.7 |
申请日期 |
2003.11.04 |
申请人 |
统宝光电股份有限公司 |
发明人 |
蔡耀铭;张世昌;曾章和 |
分类号 |
H01L21/324(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/30(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/324(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种半导体装置钝化方法,其中至少包括对该半导体装置进行以下步骤:一高压退火处理步骤,用以修补该半导体装置内所产生的缺陷;以及一等离子体处理步骤,用以去除该半导体装置内所产生的电荷。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业区苗栗县 |