| 发明名称 | 钨CMP后的清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种钨CMP后的清洗方法，采用现有的氨水清洗工艺后，然后用浓度＜5％的氢氟酸在短时间漂洗硅片，最后用去离子水冲洗硅片后甩干。本发明可有效去除钨CMP工艺后产生的污染物，降低缺陷，提高成品率，适用于半导体硅片的制作工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1967788A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200510110471.9 | 申请日期 | 2005.11.17 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈华伦 |
| 分类号 | H01L21/321(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/302(2006.01);H01L21/306(2006.01);B08B3/04(2006.01);B08B3/08(2006.01) | 主分类号 | H01L21/321(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种钨CMP后的清洗方法，在钨CMP工艺后，首先采用氨水进行清洗，其特征在于：然后用浓度＜5％的氢氟酸漂洗硅片，最后用去离子水冲洗硅片后甩干。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||