| 发明名称 | 非易失性存储单元、存储单元矩阵和存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储单元，根据软击穿机制存储数据，存储器包括电阻耦接金属氧化物半导体的栅极或源/漏极。当软击穿发生在金属氧化物半导体装置上时，流经栅极介电层的漏电流增加，并通过检测漏电流的改变以得知存储器的状态。本发明还公开了一种存储单元矩阵和一种存储装置。根据本发明的存储器的半导体工艺和目前半导体工艺兼容，并且本发明的存储器适合长时间存储数据。 | ||
| 申请公布号 | CN1967718A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200610074310.3 | 申请日期 | 2006.04.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 柯锦源;蔡永胜;廖珮君 |
| 分类号 | G11C11/41(2006.01);G11C11/419(2006.01);G11C16/04(2006.01) | 主分类号 | G11C11/41(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;郑特强 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储单元，包括：金属氧化物半导体架构；电阻，串联耦接上述金属氧化物半导体架构；以及写入接脚，其第一端耦接上述电阻，上述写入接脚适合耦接写入电压，以诱导软击穿于上述金属氧化物半导体架构中，其中上述电阻能使电流减少，上述电流是由上述写入电压所产生的，并流经上述金属氧化物半导体架构。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||