发明名称 |
一种半透明氮化硅陶瓷及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半透明氮化硅陶瓷及其制备方法。一种半透明氮化硅陶瓷,其特征在于它由α-Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>粉、Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>粉和MgO粉或MgO粉与Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>粉之和原料制备而成;各原料所占质量百分比为:α-Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>粉82~95,Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>粉2~8,MgO粉或MgO粉与Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>粉之和2~10。当采用MgO粉和Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>粉时,Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>粉的加入质量大于0,且Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>粉的加入质量小于或等于MgO粉和Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>粉质量的50%。本发明制备方法得到的半透明氮化硅陶瓷最低相对密度大于97%,平均相对密度接近理论密度,晶粒均匀细小,以等轴α-Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>相为主,红外透过率为30%~45%。 |
申请公布号 |
CN1317231C |
申请公布日期 |
2007.05.23 |
申请号 |
CN200510019277.X |
申请日期 |
2005.08.11 |
申请人 |
武汉理工大学 |
发明人 |
王皓;傅正义;王为民;王玉成;张金咏;张清杰 |
分类号 |
C04B35/584(2006.01);C04B35/622(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/584(2006.01) |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 |
代理人 |
唐万荣 |
主权项 |
1.一种半透明氮化硅陶瓷,其特征在于它由α-Si3N4粉、Al2O3粉和MgO粉或MgO粉与Y2O3粉之和原料制备而成;各原料所占质量百分比为:α-Si3N4粉82~95,Al2O3粉2~8,MgO粉或MgO粉与Y2O3粉之和2~10。 |
地址 |
430070湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |