发明名称 |
用表面活化剂改善L1<SUB>0</SUB>-FePt薄膜性能的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种用表面活化剂改善L1<SUB>0</SUB>-FePt薄膜性能的方法,属于高密度磁记录材料技术领域。在磁控溅射仪中,在清洗干净的玻璃基片沉积Bi和FePt,其特征在于,沉积的顺序依次为150~500铋Bi和100~500铁铂FePt;溅射室本底真空度为1×10<SUP>-5</SUP>~7×10<SUP>-5</SUP>Pa,溅射时氩气压为0.4~0.6Pa,基片保持室温;退火时本底真空度为2×10<SUP>-5</SUP>~7×10<SUP>-5</SUP>Pa。本发明的优点在于:大幅度地提高了退火后薄膜的平行膜面矫顽力。此外由于薄膜只采用双层结构,且厚度均较小,同时在制备过程中没有采用基片加热等复杂性工艺,所以它还具有成本低,制备简单等优点,适用于未来的生产。 |
申请公布号 |
CN1317695C |
申请公布日期 |
2007.05.23 |
申请号 |
CN200510012096.4 |
申请日期 |
2005.07.06 |
申请人 |
北京科技大学 |
发明人 |
于广华;冯春;腾蛟;李宝河 |
分类号 |
G11B5/851(2006.01);H01F41/18(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/851(2006.01) |
代理机构 |
北京科大华谊专利代理事务所 |
代理人 |
刘月娥 |
主权项 |
1、一种用表面活化剂改善L1<sub>0</sub>-FePt薄膜性能的方法,在磁控溅射 仪中,在清洗干净的玻璃基片沉积Bi和FePt,其特征在于,沉积的顺 序依次为150~500铋Bi和100~500铁铂FePt;溅射室本底真空度 为1×10<sup>-5</sup>~7×10<sup>-5</sup>Pa,溅射时氩气压为0.4~0.6Pa,基片保持室温;退 火时本底真空度为2×10<sup>-5</sup>~7×10<sup>-5</sup>Pa,使FePt薄膜的有序化温度降低 到350℃。 |
地址 |
100083北京市海淀区学院路30号 |