Method of manufacturing dual damascene metal layer of semiconductor device,申请号KR20040100515-传众专利搜索

发明名称	Method of manufacturing dual damascene metal layer of semiconductor device
摘要
申请公布号	KR100721195(B1)	申请公布日期	2007.05.23
申请号	KR20040100515	申请日期	2004.12.02
申请人		发明人
分类号	H01L21/28;H01L21/768	主分类号	H01L21/28
代理机构		代理人
主权项
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