| 发明名称 | 用标准工艺制作金属间氧化层光波导的方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种用标准工艺制作金属间氧化层光波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：在衬底上生长第一二氧化硅层；步骤二：在衬底上制作光源和探测器；步骤三：在二氧化硅层上淀积磷硅酸玻璃；步骤四：在磷硅酸玻璃上淀积第一金属层作波导下包层；步骤五：在第一金属层上淀积第二二氧化硅层做波导芯层；步骤六：在第二二氧化硅层上淀积第二金属层作波导上包层；其中第二二氧化硅层与硅基发光器相耦合，第二二氧化硅层与硅基光探测器相耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN1967301A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200510086898.X | 申请日期 | 2005.11.17 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈弘达;顾明;刘海军 |
| 分类号 | G02B6/13(2006.01) | 主分类号 | G02B6/13(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种用标准工艺制作金属间氧化层光波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：在衬底上生长第一二氧化硅层；步骤二：在衬底上制作光源和探测器；步骤三：在二氧化硅层上淀积磷硅酸玻璃；步骤四：在磷硅酸玻璃上淀积第一金属层作波导下包层；步骤五：在第一金属层上淀积第二二氧化硅层做波导芯层；步骤六：在第二二氧化硅层上淀积第二金属层作波导上包层；其中第二二氧化硅层与硅基发光器相耦合，第二二氧化硅层与硅基光探测器相耦合。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||