发明名称 | 横向双载子接面电晶体及其形成方法 | ||
摘要 | 提供一种具有增进电流增益的横向双载子接面电晶体与其形成方法。该电晶体包含一在基板上形成属于第一导通类型的井区,至少一射极位于井区内,属于与第一导通类型相反的第二导通类型,其中至少一射极中的每一个系彼此连接;复数个集极,位于该井区内,属于第二导通类型其中复数个集极系彼此连接;以及复数个基极接点,位于井区内,属于第一导通类型,其中基极系彼此连接。最好让至少一射极的所有侧边与集极邻接,基极接点中无一与射极的侧边接触。邻近的射极、集极与基极接点系由井区中的间隔所隔开。 | ||
申请公布号 | CN1967846A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
申请号 | CN200610136698.5 | 申请日期 | 2006.10.31 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈硕懋;赵治平;张智胜 |
分类号 | H01L27/082(2006.01) | 主分类号 | H01L27/082(2006.01) |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
主权项 | 1.一种横向双载子接面电晶体包含:一井区,属于第一导通类型,形成于基板上;一射极,位于该井区内,其中该射极系属于与该第一导通类型相反的第二导通类型,而其中该射极具有复数边的多角形外型;复数个集极,位于该井区内,属于该第二导通类型且彼此连接,其中该射极复数边的每一边有一集极邻接且与该等集极中之一集极在实质上连成一线;复数个基极接点,位于该井区内,属于该第一导通类型且彼此连接,其中该等基极接点系邻接于该等集极,而其中没有任一该等基极接点与该射极的侧边邻接或实质上连成一线;以及其中该射极以及邻近的集极与基极接点系由该井区中的间隔所隔开。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |