| 主权项 |
1. 一种在最后抛光晶圆之前粗略抛光半导体晶圆以降底晶圆表面粗糙度之方法,该法包括以下步骤:(a) 施加抛光溶液于抛光材料中;(b) 使该抛光材料和抛光溶液于晶圆相对于抛光材料移动时与晶圆表面接触,以减低晶圆之低频表面粗糙度;(c) 施加第二种抛光溶液于该抛光材料中;及(d) 使该抛光材料和第二种抛光溶液于晶圆相对于抛光材料移动时与晶圆表面接触,以进一步降低其低频表面粗糙度,其中晶圆于粗略抛光后,使用光学干涉计之1毫米1毫米扫描上所测量之平均表面粗糙度不大于1.0毫微米Ra。2. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该低频表面粗糙度于步骤(b)中系降至不大于2.0毫微米Ra,而于步骤(d)中进一步降至不大于1.0毫微米Ra。3. 根据申请专利范围第1或2项中任一项之方法,其中该抛光溶液系包含经钠安定化之胶态二氧化矽浆液及硷蚀刻剂。4. 根据申请专利范围第3项之方法,其中第二种抛光溶液系包含经氨安定化之胶态二氧化矽浆液及硷蚀刻剂。5. 根据申请专利范围第1项之方法,其中系进一步包括于粗略抛光晶圆后施加酸性溶液于晶圆,并以水淋洗晶圆,以使第二种抛光溶液反应中止之步骤。6. 根据申请专利范围第1项之方法,其中在将第二种溶液施加至抛光材料中之前,晶圆并未以酸性溶液处理或以水淋洗。7. 根据申请专利范围第4项之方法,其中该硷蚀刻剂为pH値约11至14之经胺强化之苛性溶液。8. 根据申请专利范围第5项之方法,其中该酸性溶液系含有一种有机或无机酸及一种聚醚多元醇。9. 根据申请专利范围第4项之方法,其中该半导体晶圆为矽晶圆,且于步骤(b)期间去除约16微米至约18微米之矽,及于步骤(d)期间去除约2微米至约4微米之矽。10.根据申请专利范围第4项之方法,其中该低频表面粗糙度系于步骤(b)中降至约1.2毫微米Ra至约2.0毫微米Ra,而于步骤(d)中则进一步降至约0.5毫微米Ra至约0.8毫微米Ra。图示简单说明:图1图示各批经抛光晶圆之平均粗糙,其中本发明方法所抛光之晶圆称为1A-8A,而经习用抛光之晶圆称为1B-8B。图2表示每个晶圆之大于0.15之光点缺陷(LPD)量,其中表示经习用抛光之晶圆,而■表示藉本发明方法粗略抛光之晶圆。图3表示每个涂有外延层之晶圆之大于0.15之LPD数,其中■表示经习用抛光之晶圆,而则表示藉本发明方法粗 |
