| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种能够提高半导体器件的成品率的制造半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：制备包含多个导电图案的衬底；在该衬底上形成第一绝缘层和第二绝缘层；通过选择性蚀刻该第一绝缘层和该第二绝缘层形成多个通孔；通过选择性蚀刻该第二绝缘层形成多个沟槽，并使得这些沟槽与通孔相通；以及在通孔和沟槽中形成金属互连。沟槽与位于相邻沟槽之间的绝缘层的宽度比的范围为0.45至0.55。 | ||
| 申请公布号 | CN1967801A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200610148471.2 | 申请日期 | 2006.11.15 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 洪志镐 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：制备包含多个导电图案的衬底；在该衬底上形成绝缘层；通过选择性蚀刻该绝缘层形成多个沟槽；以及在每个沟槽中形成金属互连，其中位于相邻沟槽之间的绝缘层的宽度范围为0.185μm至0.225μm。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||