| 发明名称 | 半导体处理装置用电加热器 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体处理装置用电加热器，其由多个区域构成，这些区域中的被放置高载荷的至少1个区域(例如：底区)的发热体为由二硅化钼制成的非金属电阻发热体，其余区域(例如：中间区和顶区)的发热体为由构成细直径过弯曲形状的金属电阻发热体。 | ||
| 申请公布号 | CN1317741C | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN02828140.3 | 申请日期 | 2002.11.25 |
| 申请人 | 光洋热系统株式会社 | 发明人 | 上森进;蓝谷隆 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/22(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 韩登营 |
| 主权项 | 1、一种半导体处理装置用电加热器，是由多个区域构成的筒状的半导体处理装置用电加热器，其特征为，多个区域中的被放置高载荷的至少1个区域的发热体是非金属电阻发热体，其余区域的发热体是金属电阻发热体。 | ||
| 地址 | 日本奈良县 | ||