| 发明名称 | 高压侧驱动器的半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种包括离子掺杂接面的高压侧驱动器的半导体结构。离子掺杂接面包括一基板、一第一深阱、一第二深阱、一第一重离子掺杂区域及一第二重离子掺杂区域。第一深阱及第二深阱彼此部分连接形成于基板内，且第一深阱及第二深阱具有相同离子掺杂型态。于第一深阱内形成用以连接第一高电压的第一重离子掺杂区域，且第一重离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。于第二深阱内形成用以连接第二高电压的第二重离子掺杂区域，且第二重离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。 | ||
| 申请公布号 | CN1967844A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200610143387.1 | 申请日期 | 2006.11.02 |
| 申请人 | 崇贸科技股份有限公司 | 发明人 | 蒋秋志;黄志丰 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种高压侧驱动器的半导体结构，包括：一离子掺杂接面，包括：一基板；一第一深阱及一第二深阱，形成于该基板内，其中该第一深阱及该第二深阱是分开但彼此部分连接且具有相同的离子掺杂型态；一第一重离子掺杂区域，形成于该第一深阱内以连接至一第一高电压，其中该第一重离子掺杂区域具有与该第一深阱相同的离子掺杂型态；以及一第二重离子掺杂区域，形成于该第二深阱内以连接至一第二高电压，其中该第二重离子掺杂区域具有与该第一深阱相同的离子掺杂型态。 | ||
| 地址 | 台湾省231台北县新店市宝兴路45巷8弄1号3楼 | ||