| 发明名称 | 一种非铅铁电薄膜的低温制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于制备非铅系的铁电薄膜的制备方法技术领域。本发明所述的非铅铁电薄膜的制备方法是：将涂覆好的薄膜浸渍在90－350℃水热溶液中热处理10～30小时，然后溅射上电极即可。本发明所涉及的薄膜属非铅体系，如Ba(Zr，Ti)O<SUB>3</SUB>(BZT)、Ba(Ti，Sr)O<SUB>3</SUB>(BST)等，水热反应条件比较温和、能耗较低、适用性广，在水热环境中使薄膜的晶粒长大，可以通过对反应温度、时间和压力，溶液的组成以及溶液pH值等因素的调节有效的控制反应和晶体生长进程。由本发明所述的方法制备的铁电薄膜可用于制备非挥发性存储器、红外探测器件以及微波器件等。 | ||
| 申请公布号 | CN1967749A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200510110554.8 | 申请日期 | 2005.11.18 |
| 申请人 | 同济大学 | 发明人 | 翟继卫;徐金宝 |
| 分类号 | H01F41/14(2006.01);C04B41/45(2006.01) | 主分类号 | H01F41/14(2006.01) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟;钱春新 |
| 主权项 | 1、一种非铅铁电薄膜的低温制备方法，其特征在于：将涂覆好的薄膜浸渍在90-350℃的水热溶液中热处理10～30小时，然后溅射上电极。 | ||
| 地址 | 200092上海市杨浦区四平路1239号 | ||