发明名称 | 存储器 | ||
摘要 | 提供一种能抑制非选择存储器单元的数据消失的干扰现象。该存储器具备存储器单元阵列(1),其包括:位线;配置为与位线交叉的字线;连接在位线与字线之间的存储器单元(12)。而且,在该存储器中,通过对所选择的存储器单元(12)进行的包括读出动作、重新写入动作及写入动作的至少一个的存取动作,向存储器单元(12)施加第一电压脉冲和第二电压脉冲,其中第一电压脉冲提供使存储数据反转的第一方向的电场,第二电压脉冲提供不使存储数据反转的与所述第一方向反向的电场,并且对存储器单元(12)进行用于使残留极化量恢复的恢复动作。 | ||
申请公布号 | CN1969338A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
申请号 | CN200580019279.7 | 申请日期 | 2005.06.16 |
申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 宫本英明;境直史;山田光一;松下重治 |
分类号 | G11C11/22(2006.01) | 主分类号 | G11C11/22(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
主权项 | 1.一种存储器,具备存储器单元阵列(1),其包括:位线;配置为与所述位线交叉的字线;和连接在所述位线与所述字线之间的存储器单元(12),通过对所选择的所述存储器单元进行的存取动作,向所述存储器单元施加第一电压脉冲和第二电压脉冲,其中存取动作包括读出动作、重新写入动作以及写入动作的至少一种,所述第一电压脉冲提供使存储数据反转的第一方向的电场,所述第二电压脉冲提供不使存储数据反转的与所述第一方向反向的电场,并且对所述存储器单元进行用于使残留极化量恢复的恢复动作。 | ||
地址 | 日本国大阪府 |