| 发明名称 | 制造半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造半导体晶片的方法。在本发明中，通过低温退火过程在深入晶片的区域形成成核位置，且通过快速加温退火工序将氧或沉淀物质、金属杂质等捕获在成核位置。当使用快速加温退火工序提高了吸气效果后，晶片表面的杂质浓度可以降低，且装置的可靠性得到提高。此外，与现有技术相比，减少了退火步骤从而提高了装置的生产率。 | ||
| 申请公布号 | CN1317746C | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN03143853.9 | 申请日期 | 2003.07.16 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李东浩;郭鲁烈 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/324(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体晶片的方法，包括以下步骤：在低温下对晶片进行退火以在深入晶片的区域形成成核位置；进行快速加温退火工序以使氧沉淀物质或金属杂质被捕获在成核位置。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||