LED

摘要

本实用新型公开了一种LED，旨在提供一种发光效率高、正面出光强度高的LED。本实用新型包括LED裸芯片和硅衬底，LED裸芯片包括N型外延层、P型外延层，硅衬底顶面有两个金属层，两个外延层通过焊球或金属线焊接在金属层上，金属层与硅衬底的结合区还有两个隔离层I，硅衬底上表面有U型凹槽，LED裸芯片位于凹槽内，凹槽内有填充树脂，金属层覆盖于凹槽的底面和侧面，金属层的外表面为反光面，金属层与硅衬底之间有隔离层II。本实用新型可广泛应用于LED领域。

主权项

1、一种LED，包括LED裸芯片和硅衬底(2)，所述LED裸芯片包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，所述硅衬底(2)顶面有两个分离的沉积金属层(32、33)，所述P型外延层(12)、所述N型外延层(11)分别通过焊球(40、41)倒装焊接在所述金属层(32、33)上，所述金属层(32、33)与所述硅衬底(2)的结合区分别还有一个掺杂的隔离层I(22、23)，其特征在于：所述硅衬底(2)上表面有一个U型凹槽，所述LED裸芯片位于所述U型凹槽内，所述U型凹槽内有透明绝缘的填充树脂(7)，所述金属层(32、33)覆盖于所述U型凹槽的底面和侧面，所述金属层(32、33)的外表面为反光面，所述金属层(32、33)与所述硅衬底(2)之间各有一个隔离层II(51、53)。