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REMA-Objektiv (123), das eine in endlichem Abstand liegende Objektebene (1) auf die Retikelebene (33) abbildet, mit einer in der retikelnahen Objektivhälfte liegenden Linsengruppe (300), in der die Hauptstrahlhöhen betragsmäßig größer sind als die Randstrahlhöhen, in der eine zerstreuende Fläche (28) mit einem größten Betrag des Sinus des Auftreffwinkels eines Hauptstrahls in Luft gegen die Flächennormale (|sin (iHaupt)|) größer als 0,35, vorzugsweise größer als 0,5 angeordnet ist. Es ist auch vorgesehen, daß vor oder vor und hinter dem Schnittpunkt der Hauptstrahlen (H1) mit der optischen Achse mindestens eine optische Fläche (11) eine zu diesem Schnittpunkt hin gekrümmte Fläche ist, mit einem größten Betrag des Sinus des Auftreffwinkels gegen die Flächennormale eines Randstrahls in Luft (|sin (iRand)|) größer als das 0,8-fache der objektseitigen numerischen Apertur (NAO); daß zwischen Objektebene (1) und Blendenebene (14), welche den Schnittpunkt der Hauptstrahlen (H1) mit der optischen Achse enthält, ein zur Objektebene (1) hin gekrümmter zerstreuender Luftspalt (3, 4) angeordnet ist; daß es ein Teilobjektiv (100) enthält, welches eine korrigierte Pupillenebene (14) erzeugt; die Verwendung besonders in einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, in der die Retikel-Maskierung (90) am Ausgang eines Glasstabs (80) angeordnet ist; und in der das Projektionsobjektiv (400) ein verkleinerndes katadioptrisches Objektiv ist. <IMAGE>
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