| 主权项 |
1.一种转接卡之改良结构,该转接卡之改良结构包 括: 一上盖,该上盖系设为符合记忆短卡(MS)规格的外 观型式,其后方系开设有符合微型记忆卡(M2)形状 的插口,该插口两侧设有固定部,且在底面设有定 位结构; 一下盖,该下盖系设为符合记忆短卡(MS)规格的外 观型式,而在下盖的前方设有记忆短卡(MS)端口,该 下盖的后方设有对应微型记忆卡(M2)之开口,该开 口两侧设有固定部,且在下盖边缘设有对应上盖的 定位结构; 一转换端子组,该转换端子组系设有十根端子,并 以射出成型之固定座包覆固定转换端子组之各端 子,而向记忆短卡(MS)端口延伸出十个接电点,及向 微型记忆卡(M2)开口延伸出九个接电点,且于转换 端子组之第四、六、七及八端子中之至少一端子 系设有一缺口,该缺口系结合有一电阻;以及 一定位弹片组,该定位弹片组系对应设于上盖与下 盖之固定部之间; 藉此,以供体积较小的微型记忆卡(M2)转换成为体 积较大的记忆短卡(MS),而便于插入具有记忆短卡( MS)电路接口的数位产品中使用者。 2.如申请专利范围第1项所述之转接卡之改良结构, 其中,该固定座系设有复数处开槽,以供成型后裁 剪各端子间之连接段及散热者。 3.如申请专利范围第1项所述之转接卡之改良结构, 其中,该定位弹片组系设有二弯折弹片,该二弯折 弹片系对应设于上盖与下盖之固定部之间,以供夹 固定位微型记忆卡(M2)者。 4.如申请专利范围第1项所述之转接卡之改良结构, 其中,该端子缺口结合之电阻系采印刷电阻碳浆的 方式加工电阻者。 5.如申请专利范围第1项所述之转接卡之改良结构, 其中,该端子缺口结合之电阻系采表面黏着方式焊 接结合者。 6.如申请专利范围第1项所述之转接卡之改良结构, 其中,该十个接电点之第一脚位及第十脚位系设有 大面积接地部者。 7.如申请专利范围第6项所述之转接卡之改良结构, 其中,该转换端子组之大面积接地部,系采用一弯 折之大面积接地导片者。 8.如申请专利范围第6项所述之转接卡之改良结构, 其中,该转换端子组之大面积接地部,系采用印刷 电路板布设导线者。 9.如申请专利范围第6项所述之转接卡之改良结构, 其中,该转换端子组之大面积接地部,系采用涂布 印刷导电油墨者。 10.如申请专利范围第6项所述之转接卡之改良结构 ,其中,该转换端子组之大面积接地部,系采用涂布 导电漆者。 图式简单说明: 第1图,系微型记忆卡(M2)与记忆短卡(MS)之电性接合 示意图。 第2图,系本创作实施例之立体外观图。 第3图,系本创作实施例之立体元件分解图。 第4图,系本创作实施例之使用示意图。 第5图,系本创作实施例之使用状态示意图。 第6图,系本创作实施例之使用结合平面示意图。 |
