| 主权项 |
1.一种半导体装置,系包括: 具有焊垫之半导体基材; 第一保护层,系覆盖于该具有焊垫之半导体基材上 ,且该第一保护层对应该焊垫处设有开孔以外露出 该焊垫; 第二保护层,系覆盖于该第一保护层上,且对应外 露出该焊垫; 第一金属层,系形成于该第二保护层上,并与外露 于该第二保护层之该焊垫电性连接; 第三保护层,系覆盖于该第一金属层及第二保护层 上,且对应外露出部分第一金属层; 第二金属层,系形成于该第三保护层上,并与该第 一金属层电性连接; 第四保护层,系覆盖于该第二金属层及第三保护层 上,且该第四保护层对应该焊垫垂直上方位置处设 有开孔,以外露出部分第二金属层;以及 焊锡凸块,系接置并电性连接至外露于该第四保护 层开孔处之该第二金属层上。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该第 四保护层开孔中心点系与该焊垫中心点位置相对 应。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该半 导体装置复包括一第三金属层,该第三金属层系形 成于该第四保护层之开孔中,并与外露于该第四保 护层开孔之该第二金属电性连接,再于该第三金属 层上接置焊锡凸块。 4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中,该第 三金属层系为焊块底部金属层(UBM)。 5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该半 导体基材系具低介电常数介电层之半导体晶片及 具低介电常数介电层之晶圆之其中一者。 6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该第 一保护层系为氮化矽层。 7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该第 二及第三保护层系选自苯环丁烯(Benzo-Cyclo-Butene, BCB)及聚亚醯胺(Polyimide)之其中一者。 8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该第 四保护层系选自介电层及拒焊层之其中一者。 9.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,该介 电层系为苯环丁烯及聚亚醯胺之其中一者。 10.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该第 一及第二金属层系为重配置层(RDL)。 11.一种半导体装置之制法,系包括: 于一具有焊垫之半导体基材上覆盖一第一保护层, 且令该第一保护层对应该焊垫处设有开孔以外露 该焊垫,并于该第一保护层上覆盖第二保护层,且 对应外露出该焊垫; 于该第二保护层上形成一第一金属层,并令该第一 金属层与外露于该第二保护层之该焊垫电性连接; 于该第一金属层及第二保护层上覆盖一第三保护 层,且对应外露出部分第一金属层; 于该第三保护层上形成一第二金属层,并令该第二 金属层与该第一金属层电性连接; 于该第二金属层及第三保护层上覆盖一第四保护 层,且令该第四保护层对应该焊垫垂直上方位置处 设有一开孔,以外露出部分第二金属层;以及 于外露出该第四保护层开孔处之第二金属层上形 成一焊锡凸块。 12.如申请专利范围第11项之制法,其中,该第四保护 层开孔中心点系与该焊垫中心点位置相对应。 13.如申请专利范围第11项之制法,其中,该第四保护 层之开孔中复形成有一第三金属层,并令该第三金 属层与外露于该第四保护层开孔之该第二金属层 电性连接,且令该焊锡凸块置于该第三金属层上。 14.如申请专利范围第13项之制法,其中,该第三金属 层系为焊块底部金属层(UBM)。 15.如申请专利范围第11项之制法,其中,该半导体基 材系具低介电常数介电层之半导体晶片及具低介 电常数介电层之晶圆之其中一者。 16.如申请专利范围第11项之制法,其中,该第一保护 层系为氮化矽层。 17.如申请专利范围第11项之制法,其中,该第二及第 三保护层系选自苯环丁烯及聚亚醯胺之其中一者 。 18.如申请专利范围第11项之制法,其中,该第四保护 层系选自介电层及拒焊层之其中一者。 19.如申请专利范围第18项之制法,其中,该介电层系 为苯环丁烯及聚亚醯胺之其中一者。 20.如申请专利范围第11项之制法,其中,该第一及第 二金属层系为重配置层(RDL)。 图式简单说明: 第1A图至第1E图系显示习知半导体装置之制程示意 图; 第2A图至第2G图系显示本发明半导体装置第一实施 例之制程示意图;以及 第3A图至第3H图系显示本发明半导体装置第二实施 例之制程示意图。 |
