| 主权项 |
1.一种用于氮化镓系化合物半导体发光装置之透 明电极,包含有:一p型半导体层;一由铂族金属形成 之接触金属层,且其为位于该p型半导体层上经由 欧姆接触所形成;一电流扩散层,其形成于该接触 金属层上,且在透明电极平面上的电阻率小于接触 金属层;以及一接合垫,其形成于电流扩散层上。 2.如申请专利范围第1项之透明电极,其中该接合垫 具有90%或以上的面积接触于该电流扩散层。 3.如申请专利范围第1项之透明电极,其中该透明电 极仅由一种金属形成。 4.如申请专利范围第1项之透明电极,其中该透明电 极含有一导电氧化物层。 5.如申请专利范围第1项之透明电极,其中该接合垫 与p型半导体层的接触面积为10%或更小。 6.如申请专利范围第5项之透明电极,其中该接合垫 可避免接触p型半导体层。 7.如申请专利范围第1项之透明电极,其中该电流扩 散层具有为金属层所覆盖的最上层。 8.如申请专利范围第1项之透明电极,其中该接触金 属层系由铂形成。 9.如申请专利范围第1项之透明电极,其中该接触金 属层具有0.1至7.5nm范围的厚度。 10.如申请专利范围第9项之透明电极,其中该接触 金属层具有5nm或更小的厚度。 11.如申请专利范围第9项之透明电极,其中该接触 金属层具有0.5至2.5nm的厚度。 12.如申请专利范围第1项之透明电极,其中该电流 扩散层系由选自金、银、铜或含有至少一种这些 金属之合金组成的族群中的金属所形成。 13.如申请专利范围第12项之透明电极,其中该电流 扩散层系由金形成。 14.如申请专利范围第1项之透明电极,其中该电流 扩散层具有1至20nm范围的厚度。 15.如申请专利范围第14项之透明电极,其中该电流 扩散层具有10nm或更小的厚度。 16.如申请专利范围第14项之透明电极,其中该电流 扩散层具有3至6nm的厚度。 17.如申请专利范围第1项之透明电极,其中该接合 垫包含接触于电流扩散层的第一层,且该第一层系 由择自钛、铝、金、铬或其合金组成之族群中之 至少一种金属所形成。 18.如申请专利范围第17项之透明电极,其中该接合 垫的第一层具有20至3000nm的厚度范围。 19.如申请专利范围第17项之透明电极,其中该接合 垫具有形成于接合垫之第一层上的第二层,且该第 二层系由选自钛、铬或其合金中之至少一种金属 所形成。 20.如申请专利范围第18或19项之透明电极,其中该 接合垫的第二层具有20至3000nm的厚度范围。 21.如申请专利范围第1项之透明电极,其中该接合 垫具有由金形成的最上层。 22.一种发光装置,其系使用如申请专利范围第1至21 项中任一项之透明电极。 图式简单说明: 第1图为设有本发明透明电极之发光装置的横剖面 示意图。 第2图为设有实例1所制造之本发明透明电极的氮 化镓系化合物半导体发光装置的横剖面示意图。 第3图为设有实例1所制造之本发明透明电极的氮 化镓系化合物半导体发光装置的平面示意图。 第4图为含有对照实例1所制造之透明电极切除部 位的透明电极部件的平面示意图。 |
