| 主权项 |
1.一种离子植入装置,包括: 一离子发射单元,其经组态以在不同条件下向至少 一基板之复数个区域发射离子; 一基板固持单元,其经组态以固持该基板且相对于 该离子发射单元所发射之该等离子来改变该至少 一基板之位置; 一计算单元,其经组态以基于该等区域中之每一个 之预先输入的校正资讯而准备一该等区域中之每 一个之校正处理条件,该校正处理条件系藉由校正 一用于离子发射之标准处理条件而获得;及 一控制器,其控制该离子发射单元及该基板固持单 元,以在该校正处理条件下向该等区域中之每一个 发射该等离子。 2.如请求项1之装置,其中该校正资讯系基于该至少 一基板之该等区域中之每一个在该等离子发射之 前所假定之一状态。 3.如请求项1之装置,其中该校正资讯系基于使用该 离子植入装置在至少一基板之区域中预制之半导 体元件的特征。 4.如请求项1之装置,其中该等区域系一单个基板之 不同区域。 5.如请求项1之装置,其中该等区域系复数个基板中 之每一个之一相同位置上的区域。 6.如请求项1之装置,其中 该离子发射单元在该校正处理条件下透过一于该 基板上形成之膜向该基板发射离子,且 该校正处理条件包含根据该膜之一厚度与一所需 厚度之间的差额而设定之加速度或剂量。 7.如请求项1之装置,其中 该离子发射单元在该校正处理条件下透过一于该 基板上形成之膜向该基板发射离子, 离子系在该标准处理条件下透过具有一所需厚度 之该膜而发射,且 该校正处理条件包含:低于该标准处理条件之加速 度或剂量,在此条件下离子系透过薄于一所需厚度 之该膜而发射,或高于该标准处理条件之加速度或 剂量,在此条件下离子系透过厚于一所需厚度之该 膜而发射。 8.如请求项1之装置,其中 该离子发射单元在该校正处理条件下向该基板之 一区域发射离子,该区域系藉由一于该基板上形成 之膜来界定,且 该校正处理条件包含根据该区域之一尺寸与一所 需尺寸之间的差额而设定之剂量。 9.如请求项1之装置,其中 该离子发射单元向该基板之一区域发射离子,该区 域系藉由一于该基板上形成之膜来界定, 离子系在该标准处理条件下发射至具有一所需尺 寸之该区域,且 该校正处理条件包含:高于该标准处理条件之剂量 ,在此条件下离子被发射至小于一所需尺寸之该区 域,或低于该标准处理条件之剂量,在此条件下离 子被发射至大于一所需尺寸之该区域。 10.如请求项1之装置,其中 该离子发射单元在该校正处理条件下向该基板之 一区域发射离子,该区域先前已被植入杂质,且 该校正处理条件包含根据该区域之传导性类型与 该等离子之传导性类型之间的关系及该区域之该 等杂质的浓度与该等杂质之一所需浓度之间的差 额而设定之剂量。 11.如请求项1之装置,其中 该离子发射装置向该基板之一区域发射离子,该区 域先前已被植入与该等离子传导性类型相同之杂 质, 离子系在该标准处理条件下被发射至具有该等杂 质之一所需浓度之该区域,且 该校正处理条件包含:高于该标准处理条件之剂量 ,在此条件下离子被发射至杂质浓度低于一所需杂 质浓度之该区域,或低于该标准处理条件之剂量, 在此条件下离子被发射至杂质浓度高于一所需杂 质浓度之该区域。 12.一种离子植入方法,其用于一能够在不同条件下 向至少一基板之复数个区域发射离子之离子植入 装置中,该方法包含: 基于该等区域中之每一个的预先输入之校正资讯 为该等区域中之每一个准备一校正处理条件,该校 正处理条件系藉由校正一用于离子发射的标准处 理条件而获得;及 在该校正处理条件下向该等区域中之每一个发射 该等离子。 13.如请求项12之方法,其中准备该校正处理条件之 步骤包含: 输入状态资讯,其指示该至少一基板之该等区域中 之每一个在发射该等离子之前假定之一状态;及 基于该状态资讯校正该标准处理条件。 14.如请求项12之方法,其中准备该校正条件之步骤 包含: 输入状态资讯,其指示使用该离子植入装置在至少 一基板之区域中预制之半导体元件的特征;及 基于该状态资讯校正该标准处理条件。 15.如请求项12之方法,其中该等区域系一单个基板 之不同区域,且发射该等离子之步骤包含向该单个 基板发射该等离子。 16.如请求项12之方法,其中该等区域系复数个基板 中之每一个之一相同位置上的区域,且发射该等离 子之步骤包含向该等复数个基板发射该等离子。 17.如请求项12之方法,其中发射该等离子之步骤包 含:以根据该膜之一厚度与一所需厚度之间的差额 而设定之加速度或剂量,透过一于该基板上形成之 膜向该基板发射离子。 18.如请求项12之方法,其中发射该等离子之步骤包 含:以根据该区域之一尺寸与一所需尺寸之间的差 额而设定之剂量向该基板之一区域发射离子,该区 域系藉由一于该基板上形成之膜来界定。 19.如请求项12之方法,其中发射该等离子之步骤包 含:以一剂量向一先前被植入杂质之区域发射离子 ,该剂量系根据该区域之传导性类型与该等离子之 传导性类型之间的关系及该区域中该等杂质之一 浓度与该等杂质之一所需浓度之间的差额而设定 。 图式简单说明: 图1系一说明根据本发明之一第一实施例之一离子 植入装置的基本部分的示意方块图; 图2A、2B、2C、2D、3A、3B及4系用于解释校正处理条 件之准备的视图; 图5系一以实例说明对应于半导体基板之该等区域 的半导体元件之电晶体临限电压的图表; 图6系一以一实例说明该临限电压比植入离子之量 的变化率的图表; 图7系一说明应用于一标准处理条件之校正系数实 例的视图;且 图8系一说明在标准植入及校正植入期间临限电压 之变化的实例的图表。 |
