| 主权项 |
1.一种具有缺陷接地结构之平面式滤波器,其包含: 一基板,具有一第一表面与一第二表面,其中该第 二表面系为接地面; 复数个缺陷接地结构,系以类S形式蚀刻在该基板 之该第二表面上;以及一传输线,具有一第一射频 信号输入埠与一第二射频信号输出埠,系配置于该 基板之该第一表面上; 其中该复数个缺陷接地结构系位于该传输线之下 方。 2.如申请专利范围第1项所述之具有缺陷接地结构 之平面式滤波器,其中该基板可以是玻璃纤维基板 、陶瓷基板、氧化铝、碳氢化合物陶瓷基板、高 温共烧陶瓷、低温共烧陶瓷、高介电材料、低介 电材料与半导体所组成族群中之任何一种基板材 料。 3.如申请专利范围第1项所述之具有缺陷接地结构 之平面式滤波器,其中该复数个缺陷接地结构系为 具有特性阻抗之槽线。 4.如申请专利范围第3项所述之具有缺陷接地结构 之平面式滤波器,其中该复数个缺陷接地结构之长 度系决定于操作频率下之导波长度(guide-wave length) 。 5.如申请专利范围第1项所述之具有缺陷接地结构 之平面式滤波器,其中该传输线系以微带线构成。 6.如申请专利范围第2项所述之具有缺陷接地结构 之平面式滤波器,其中该基板是低温共烧陶瓷基板 。 7.如申请专利范围第1项所述之具有缺陷接地结构 之平面式滤波器,其中该复数个缺陷接地结构之电 性耦合距离为0~10mm。 8.如申请专利范围第1项所述之具有缺陷接地结构 之平面式滤波器,其中该复数个缺陷接地结构亦可 分别位于该第一射频信号输入埠与一第二射频信 号输出埠之正下方。 图式简单说明: 图1显示为本创作之具有缺陷接地结构之平面式滤 波器之立体图。 图2显示为本创作之单一类S形式缺陷接地结构之 结构图。 图3显示为本创作之单一类S形式缺陷接地结构之 等效电路图。 图4显示为本创作之实测频率响应图。 |
