| 主权项 |
1.一种凸块,系位在一接点上,该凸块包括: 一球底金属层,位在该接点上; 一垫块,位在该球底金属层上,而该垫块系利用打 压的方式形成到该球底金属层上,该垫块的材质包 括铜;以及 一焊块,位在该垫块上。 2.如申请专利范围第1项所述之凸块,其中该球底金 属层包括: 一黏着层,系位在该接点上;以及 一阻障层,系位在该黏着层上,而该垫块系位在该 阻障层上。 3.如申请专利范围第2项所述之凸块,其中该黏着层 之材质系选自于由钛、钛钨合金、铝及铬所组成 之族群中的一种材质。 4.如申请专利范围第2项所述之凸块,其中该阻障层 的材质系选自于由镍钒合金及镍所组成之族群中 的一种材质。 5.如申请专利范围第1项所述之凸块,其中该垫块的 高度系介于4微米到10微米之间。 6.如申请专利范围第1项所述之凸块,其中该焊块的 材质系为锡铅合金。 7.如申请专利范围第1项所述之凸块,其中该焊块的 材质系为无铅合金。 8.如申请专利范围第7项所述之凸块,其中该焊块的 材质系选自于由锡、金、银、铜、铋、锑、铟、 锌及该等之部份组合的合金。 9.一种凸块,系位在一接点上,该凸块包括: 一球底金属层,位在该接点上; 一垫块,位在该球底金属层上,而该垫块的高度系 介于4微米到10微米之间;以及 一焊块,位在该垫块上。 10.如申请专利范围第9项所述之凸块,其中该球底 金属层包括: 一黏着层,系位在该接点上;以及 一阻障层,系位在该黏着层上,而该垫块系位在该 阻障层上。 11.如申请专利范围第10项所述之凸块,其中该黏着 层之材质系选自于由钛、钛钨合金、铝及铬所组 成之族群中的一种材质。 12.如申请专利范围第10项所述之凸块,其中该阻障 层的材质系选自于由镍钒合金及镍所组成之族群 中的一种材质。 13.如申请专利范围第9项所述之凸块,其中该焊块 的材质系为锡铅合金。 14.如申请专利范围第9项所述之凸块,其中该焊块 的材质系为无铅合金。 15.如申请专利范围第14项所述之凸块,其中该焊块 的材质系选自于由锡、金、银、铜、铋、锑、铟 、锌及该等之部份组合的合金。 16.一种凸块制程,包括: 形成一球底金属层到一晶圆上; 打压上至少一垫块到该球底金属层上; 去除该球底金属层,而仅保留位在该垫块下的该球 底金属层; 形成一膏状焊料到该垫块上;以及 进行一回焊制程,将该膏状焊料固化,以形成一焊 块到该垫块上。 17.如申请专利范围第16项所述之凸块制程,其中在 形成该球底金属层到该晶圆上的步骤包括: 形成一黏着层到该晶圆上;以及 形成一阻障层到该黏着层上。 18.如申请专利范围第17项所述之凸块制程,其中该 黏着层之材质系选自于由钛、钛钨合金、铝及铬 所组成之族群中的一种材质。 19.如申请专利范围第17项所述之凸块制程,其中该 阻障层的材质系选自于由镍钒合金及镍所组成之 族群中的一种材质。 20.如申请专利范围第16项所述之凸块制程,其中该 垫块的材质包括铜。 21.如申请专利范围第16项所述之凸块制程,其中该 垫块的高度系介于4微米到10微米之间。 22.如申请专利范围第16项所述之凸块制程,其中该 焊块的材质系为锡铅合金。 23.如申请专利范围第16项所述之凸块制程,其中该 焊块的材质系为无铅合金。 24.如申请专利范围第23项所述之凸块制程,其中该 焊块的材质系选自于由锡、金、银、铜、铋、锑 、铟、锌及该等之部份组合的合金。 25.一种凸块制程,包括: 形成一球底金属层到一晶圆上; 打压上至少一垫块到该球底金属层上,而该垫块的 高度系介于4微米到10微米之间; 去除该球底金属层,而仅保留位在该垫块下的该球 底金属层;以及 形成至少一焊块到该垫块上。 26.如申请专利范围第25项所述之凸块制程,其中在 形成该球底金属层到该晶圆上的步骤包括: 形成一黏着层到该晶圆上;以及 形成一阻障层到该黏着层上。 27.如申请专利范围第26项所述之凸块制程,其中该 黏着层之材质系选自于由钛、钛钨合金、铝及铬 所组成之族群中的一种材质。 28.如申请专利范围第26项所述之凸块制程,其中该 阻障层的材质系选自于由镍钒合金及镍所组成之 族群中的一种材质。 29.如申请专利范围第25项所述之凸块制程,其中该 垫块的材质包括铜。 30.如申请专利范围第25项所述之凸块制程,其中该 焊块的材质系为锡铅合金。 31.如申请专利范围第25项所述之凸块制程,其中该 焊块的材质系为无铅合金。 32.如申请专利范围第31项所述之凸块制程,其中该 焊块的材质系选自于由锡、金、银、铜、铋、锑 、铟、锌及该等之部份组合的合金。 图式简单说明: 第1图绘示习知覆晶晶片结构的剖面放大示意图。 第2图至第10图,其绘示依照本发明一较佳实施例之 制作凸块制程的剖面放大示意图。 |
