| 主权项 |
1.一种电子装置,其包含至少一个压叠在基板上的 电极层、半导体层及绝缘层, 该绝缘层包括藉由使用聚醯胺酸和该聚醯胺酸之 衍生物中之至少一者所获得的聚醯亚胺物质,该聚 醯胺酸系由一或多个选自四碳酸酐和该四碳酸酐 之衍生物的四碳酸二酐化合物与二胺化合物反应 所获得, 该四碳酸二酐化合物包括一或多个选自下列结构 式代表的四碳酸二酐: 和该四碳酸二酐之衍生物的四碳酸二酐化合物组 份。 2.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该四碳酸 二酐化合物的该组份占该四碳酸二酐化合物的0.5 莫耳分率或更高,但是不超过1莫耳分率。 3.一种电子装置,其包含至少一个压叠在基板上的 电极层、半导体层及绝缘层,该绝缘层包括藉由使 用聚醯胺酸或该聚醯胺酸之衍生物所获得的聚醯 亚胺物质,该聚醯胺酸系由一或多个选自四碳酸二 酐和该四碳酸二酐之衍生物的四碳酸二酐化合物 与二胺化合物发生反应所获得, 该四碳酸二酐化合物包括一或多个选自下列结构 式代表的四碳酸二酐: 和该四碳酸二酐之衍生物的四碳酸二酐化合物组 份,该二胺化合物包括具有侧链的二胺。 4.如申请专利范围第3项之电子装置,其中具有侧链 的该二胺包含一或多个选自如下式代表的化合物 之化合物 其中R1为单键、氧基、羰基、-COO-、-OCO-、-CONH、- CH2O-、CF2O-或-(CH2)e-中之任一者, R2为具有类固醇结构及具有下列通式之基团 或包括1或多个但不超过20个碳原子之烷基或苯基, R3在每一种情况下独立为氢原子或甲基, R4在其每一种情况下独立为氢原子或包括1或多个 但不超过20个碳原子之烷基, R5在其每一种情况下独立为单键、羰基或亚甲基 中之任一者, R6及R7在其每一种情况下各自独立为氢原子或包括 1或多个但不超过20个碳原子之烷基或苯基中之任 一者, R8为氢原子或包括1或多个但不超过20个碳原子之 烷基, R9在其每一种情况下独立为氧基或包括1或多个但 不超过6个碳原子之伸烷基, R10及R11在其每一种情况下各自独立为氢原子、具 有1或多个但不超过20个碳原子之烷基或全氟烷基 中之任一者,R10及R11中之至少一者为包括3或多个 碳原子之烷基或全氟烷基, R12在其每一种情况下独立为氧基或包括1或多个但 不超过6个碳原子之伸烷基, R13、R14及R15在其每一种情况下各自独立为单键、 氧基、-COO-、-OCO-、-CONH-、包括1或多个但不超过4 个碳原子之伸烷基或包括1或多个但不超过3个碳 原子之伸烷氧基中之任一者, R16及R17在其每一种情况下各自独立为氢原子、氟 基或甲基中之任一者, R18为氢原子、氟基、氯基、氰基、包括1或多个但 不超过20个碳原子之烷基、包括1或多个但不超过 20个碳原子之烷氧基、包括2或多个但不超过20个 碳原子之烷氧基烷基、氟甲基、二氟甲基、三氟 甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基或三氟甲氧基中之 任一者, 该环A为1,4-伸苯基或1,4-环伸己基中之任一者, 该环B及C各自为1,4-伸苯基或1,4-环伸己基中之任一 者, a为0或1, b为0或大于但不超过2之整数, c在其每一种情况下独立为0或1之整数, d在其每一种情况下独立为0或1之整数, e为1或大于但不超过6之整数, f、g及h在其每一种情况下各自独立为0或大于但不 超过4之整数, i、j及k在其每一种情况下各自独立为0或大于但不 超过3之整数, i、j与k之总数为1或更大, l及m在其每一种情况下各自独立为1或2之任何値。 5.如申请专利范围第3项之电子装置,其中具有该侧 链的该二胺的莫耳分率为该二胺化合物的0.3或更 高,但不超过1。 6.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该聚醯亚 胺系藉由使用该聚醯胺酸和该聚醯胺酸衍生物中 之至少一者及醯亚胺化触媒所获得。 7.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该半导体 层包含有机半导体物质。 8.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该电极层 包括第一电极层及第二电极层,该第二电极层包含 一对彼此相互分开配置的电极图案,将该第一电极 层、该绝缘层、该第二电极层及该半导体层连续 压叠在该基板上,该第二电极层的该电极图案系配 合具备能量的该绝缘层区域而形成的且与不具备 该能量的区域相比而具有更大的临界表面张力。 9.如申请专利范围第8项之电子装置,其中该绝缘层 包含二或多种聚醯亚胺物质,使得该绝缘层在其厚 度方向具有聚醯亚胺浓度梯度。 10.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该绝缘 层包含第一绝缘层及第二绝缘层,该电极层包含第 一电极层(包括一对彼此相互分开配置的电极图案 )及第二电极层,将该第一绝缘层、该第一电极层 的该电极图案、该半导体层、该第二绝缘层及该 第二电极层连续压叠在该基板上, 其中该第一电极层系配合具备能量的该绝缘层区 域而形成在该第一绝缘层上且与不具备该能量的 区域相比而具有更大的表面张力。 11.如申请专利范围第10项之电子装置,其中该第一 绝缘层包含二或多种聚醯亚胺物质,该第一绝缘层 在其厚度方向具有聚醯亚胺浓度梯度。 12.如申请专利范围第8项之电子装置,其中该能量 系由紫外线辐射所提供。 13.如申请专利范围第8项之电子装置,其中该第一 电极层及该第二电极层中之至少一层系以喷墨法 所形成。 14.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该电子 装置形成操作装置。 15.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该电子 装置形成显示装置。 16.如申请专利范围第3项之电子装置,其中该聚醯 亚胺物质系藉由使用该聚醯胺酸和该聚醯胺酸衍 生物中之至少一者及醯亚胺化触媒所获得。 17.如申请专利范围第3项之电子装置,其中该半导 体层包含有机半导体物质。 18.如申请专利范围第3项之电子装置,其中该电极 层包括第一电极层及第二电极层,该第二电极层包 含一对彼此相互分开配置的电极图案,将该第一电 极层、该绝缘层、该第二电极层及该半导体层连 续压叠在该基板上, 该第二电极层的该电极图案系配合具备能量的该 绝缘层区域而形成的且与不具备该能量的区域相 比而具有更大的临界表面张力。 19.如申请专利范围第18项之电子装置,其中该绝缘 层包含二或多种聚醯亚胺物质,使得该绝缘层在其 厚度方向具有聚醯亚胺浓度梯度。 20.如申请专利范围第3项之电子装置,其中该绝缘 层包含第一绝缘层及第二绝缘层,该电极层包含第 一电极层(包括一对彼此相互分开配置的电极图案 )及第二电极层,将该第一绝缘层、该第一电极层 的该电极图案、该半导体层、该第二绝缘层及该 第二电极层连续压叠在该基板上, 其中该第一电极层系配合具备能量的该绝缘层区 域而形成在该第一绝缘层上且与不具备该能量的 区域相比而具有更大的临界表面张力。 21.如申请专利范围第20项之电子装置,其中该第一 绝缘层包含二或多种聚醯亚族物质,该第一绝缘层 在其厚度方向具有聚醯亚胺浓度梯度。 22.如申请专利范围第18项之电子装置,其中该能量 系由紫外线辐射所提供。 23.如申请专利范围第18项之电子装置,其中该第一 电极层及该第二电极层中之至少一层系以喷墨法 所形成。 24.如申请专利范围第3项之电子装置,其中该电子 装置形成操作装置。 25.如申请专利范围第3项之电子装置,其中该电子 装置形成显示装置。 图式简单说明: 图1为展示在临界表面张力与半导体迁移率之间的 关系图形。 图2为展示本发明的电子装置构造之实例的图形。 图3为展示本发明的电子装置构造之另一实例的图 形。 图4A-4E为图表展示绝缘层在其厚度方向的浓度分 布之图形。 图5为展示本发明的电极图案化之实例的图形。 图6为展示本发明的操作装置之实例的路线图。 图7为展示本发明的显示装置之实例的路线图。 图8为展示体积电阻率之评估装置的图形。 图9为展示以本发明所获得的膜之评估结果的图表 ;及 图10为展示用于评估电极装置之形状及迁移率之 评估装置的构造图形。 |
