| 主权项 |
1.一种用于自基板移除抗蚀剂、聚合材料及/或蚀 刻残余物的组成物,该基板包含钛或其合金,该组 成物包含羟胺或其衍生物,以及至少一具如下所示 之通式(I)之化合物: 其中: R1以及R3为个别独立选择自H、OH、CO2H、卤素、C1-C3 烷基、C1-C3氧烷基或(CH2)nOH,其中n为1、2或3;且R2为 择自C9-C16烷基、或C9-C16氧烷基。 2.如申请专利范围第1项之组成物,其中R2为择自C9 、C10、C11或C12烷基,或择自C9、C10、C11或C12氧烷基 。 3.如申请专利范围第1或2项之组成物,其中该化学 通式(I)之化合物为择自一个或以上的3,4,5-三羟-壬 基苯、3,4,5-三羟-癸基苯、3,4,5-三羟-十一碳基苯 、3,4,5-三羟-十二碳基苯以及3,4,5-三羟-三癸基苯 。 4.如申请专利范围第1或2项之组成物,其中以水性 溶液提供该羟胺。 5.如申请专利范围第4项之组成物,其中以大约1:1之 重量比(羟胺:水)的水性溶液提供该羟胺。 6.如申请专利范围第1或2项之组成物,其进一步包 含一可与羟胺或其衍生物溶混的溶剂。 7.如申请专利范围第6项之组成物,其中该溶剂为择 自一个或以上之醇胺、水、二甲基亚、乙烯二 醇、乙烯二醇烷基酯、二乙烯二醇烷基酯、三乙 烯二醇烷基酯、丙烯二醇、丙烯二醇烷基酯、二 丙烯二醇烷基酯、三丙烯二醇烷基酯、N-取代之 喀啶酮、乙烯二胺以及乙烯三胺。 8.如申请专利范围第7项之组成物,其包含至少5wt% 之羟胺、至少10wt%之一个或以上的醇胺以及总量 自0.5至30wt%之一个或以上的化合物,该等化合物择 自具有上述化学通式(I)之化合物,以及剩余部分为 任何由一个或以上的上述之该溶剂所组成。 9.如申请专利范围第7项之组成物,其包含自10至70wt %之羟胺、自30至60wt%的一个或以上的醇胺以及自5 至15wt%的一个或以上之具有如上所示之该化学通 式(I)化合物,和剩余部分为任何由一个或以上的该 上述之溶剂所组成。 10.如申请专利范围第8项之组成物,其中该剩余部 分为一溶剂,该溶剂择自水及/或二甲基亚之一 或两者。 11.如申请专利范围第7项之组成物,其中该醇胺择 自一个或以上的单乙醯胺、双乙醯胺、三乙醯胺 、四丁基二乙醯胺、异丙醯胺、双异丙醯胺、2- 胺-1-丙醇、3-胺-1-丙醇、异丁醯胺、2-(2-胺乙氧基 )乙醇(二甘醇胺)、2-(2-胺乙氧基)丙醇以及1-羟-2- 胺苯。 12.一种用以自包含钛或其合金之基板移除抗蚀剂 、聚合材料以及/或蚀刻残余物的方法,该方法包 含在一温度下以如申请专利范围第1至11项中任一 项之组成物接触该基板一段时间,使其足以自该基 板移除抗蚀剂、聚合材料及/或蚀刻残余物。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中该温度范围 为自20至150℃。 14.如申请专利范围第12或13项之方法,其中该时间 范围为自20至60分钟。 15.如申请专利范围第12或13项之方法,其中该基板 包含一具有上述钛或钛合金表面之半导体晶圆。 16.如申请专利范围第12或13项之方法,其进一步包 含在大体上自该基板移除抗蚀剂、聚合材料及/或 蚀刻残余物后接者以一适合的冲洗组成物冲洗该 基板的步骤。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该冲洗组成 物较佳地包含一极性溶剂或一具有pH范围为2到5的 水性溶液。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中该冲洗组成 物包含一个或以上之异丙醇、N-甲基喀啶酮、 二甲基亚、稀释的柠檬酸以及/或稀释的醋酸。 19.如申请专利范围第16项之方法,其中该冲洗组成 物包含一单官能基、双官能基或三官能基的有机 酸,以及一缓冲量之四级胺、羟胺盐、羟胺、或 盐的硷。 20.如申请专利范围第16项之方法,其中该冲洗步骤 为接着水冲洗之后,且而后乾燥步骤。 21.一种抑制包含钛或其合金之基板腐蚀的方法,该 方法包含以一个或以上之化合物与该基板接触,该 等化合物择自包含具如下所示之化学通式(I): 其中: R1以及R3为个别独立选择自H、OH、CO2H、卤素、C1-C3 烷基、C1-C3氧烷基或(CH2)nOH,其中n为1、2或3;且R2为 择自C9-C16烷基、或C9-C16氧烷基。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中以包含一羟 胺或一其衍生物之组成物提供该化合物。 23.如申请专利范围第21或22项之方法,其中以包含 一溶剂之组成物提供该化合物。 24.如申请专利范围第21或22项之方法,其中以包含 一羟胺或一其衍生物,以及至少一可与羟胺溶混之 醇胺提供该化合物。 25.一种一个或以上择自具如下所示之化学通式(I) 之化合物的用途,该化合物系在用于自一基板移除 抗蚀剂、聚合材料以及/或蚀刻残余物之组成物中 ,该基板包含钛或其合金,该化学通式(I)为: 其中: R1以及R3为个别独立选择自H、OH、CO2H、卤素、C1-C3 烷基、C1-C3氧烷基或(CH2)nOH,其中n为1、2或3;且R2为 择自C9-C16烷基、或C9-C16氧烷基。 26.一种一个或以上择自具如下所示之化学通式(I) 之化合物的用途,该化合物系在用于自一基板移除 抗蚀剂、聚合材料以及/或蚀刻残余物之组成物中 作为一腐蚀抑制剂,该基板包含钛或其合金,该化 学通式(I)为: 其中: R1以及R3为个别独立选择自H、OH、CO2H、卤素、C1-C3 烷基、C1-C3氧烷基或(CH2)nOH,其中n为1、2或3;且R2为 择自C9-C16烷基、或C9-C16氧烷基。 图式简单说明: 第1图为一钛薄膜传导对暴露于一腐蚀溶液(羟胺/ 二甘醇胺)与一暴露于含一腐蚀抑制剂(儿茶酚)之 相同之腐蚀溶液的图。 第2图为一抑制时间对一系列经n-烷基取代之腐蚀 抑制剂分子量的图。 |
