半导体单结晶制造装置及制造方法

摘要

【课题】使炉内产生之蒸发物及反应生成物能在不接触石墨坩锅及加热器之情形下排气，同时，能使排气管本身保持高温，而抑制蒸发物及反应生成物之附着及凝结，以防止阻塞排气管，又，抑制排气管本身之SiC化而提高排气管耐久性，又，抑制热膨胀率而能以高品质牵引热单结晶。又，藉由以较少材料来构成排气管，而降低制造成本。【解决手段】于加热器(6)外侧设置以绝热材构成之遮热板(12)，在加热器(6)与遮热板(12)之间设有复数排气口(20)。复数排气口(20)系连通到设于腔体(1)底部之复数排气口(8b(22b))。

主权项

1.一种半导体单结晶制造装置,包括: 坩锅,熔解半导体单结晶原料; 加热器,在前述坩锅周围加热坩锅内原料; 复数个排气管,以导热性佳的材料制成;以及 牵引机构,使种子结晶浸渍于熔解后之原料中而牵 引单结晶,上述坩锅、加热器以及复数个排气管系 设于一腔体中, 其特征在于: 于前述加热器外侧,沿着加热器圆周方向,上述复 数排气管系间歇地设置于可直接接受上述加热器 的辐射及热的位置上。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体单结晶制造 装置,其中,于前述加热器外侧设有遮热板,在前述 加热器与前述遮热板之间,沿着加热器圆周方向设 有复数排气管。 3.如申请专利范围第1项所述之半导体单结晶制造 装置,其中,于前述加热器外侧设有绝热筒,在前述 加热器与前述绝热筒之间,沿着加热器圆周方向设 有复数排气管。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项所述之半导体 单结晶制造装置,其中,前述复数排气管系连通到 设于前述腔体底部之复数排气口。 5.如申请专利范围第2项所述之半导体单结晶制造 装置,其中,前述复数排气管系具有与前述遮热板 分开独立之分隔壁的排气管。 6.如申请专利范围第2项所述之半导体单结晶制造 装置,其中,前述复数排气管系具有与前述遮热板 共用之分隔壁的排气管。 图式简单说明: 第1图系表示实施型态矽单结晶制造装置构成之剖 面图,第1(a)图系侧视图,第1(b)图系上视图。 第2图系例示排气管固定方法之示意图。 第3图系例示排气管固定方法之示意图。 第4图系例示排气管固定方法之示意图。 第5图系例示排气管固定方法之示意图。 第6图系例示可上下分割成二之排气管构造的立体 图。 第7图系例示可上下分割成二之排气管构造的纵剖 面图。 第8图系先前技术之说明图。 第9图系先前技术之说明图。 第10图系表示其他实施例之示意图。 第11图系表示其他实施例之示意图。