| 主权项 |
1.一种Ⅲ族氮化物半导体的制法,所含步骤包括: (1)于反应舱内置入一基板; (2)于该基板上形成Ⅲ族氮化物半导体; (3)使固态氮化合物存在于该反应舱内以作为Ⅲ族 氮化物半导体的氮源;以及 (4)将作为Ⅲ族元素源的原料气体供应至该反应舱 内以制造Ⅲ族氮化物半导体。 2.如申请专利范围第1项之Ⅲ族氮化物半导体的制 法,其中该固态氮化合物的温度较基板温度低于400 ℃或更低。 3.如申请专利范围第1项之Ⅲ族氮化物半导体的制 法,其中该固态氮化合物的温度为200℃至700℃。 4.如申请专利范围第1项之Ⅲ族氮化物半导体的制 法,其中该固态氮化合物包含选自由铝、镓、铟所 组成之族群中的一者或其组合。 5.如申请专利范围第1项之Ⅲ族氮化物半导体的制 法,其中该固态氮化合物为GaN。 6.如申请专利范围第1项之Ⅲ族氮化物半导体的制 法,其中该固态氮化合物为AlN。 7.如申请专利范围第1项之Ⅲ族氮化物半导体的制 法,其中该反应舱内设有基材,且固态氮化合物形 成于基材上,其中该基材包含选自由石英、碳、碳 化矽、矽、氮化矽、氮化铝、氮化硼、氧化镁、 氧化锆、钼、钽、钨、钛、硼、镍、铂、锆、铱 、钒、铁与铬所组成之族群中的至少一(含)者。 8.如申请专利范围第7项之Ⅲ族氮化物半导体的制 法,其中该存在于基材上的固态氮化合物为藉由蒸 发、分解或反应而形成于基材表面上的析出物。 9.如申请专利范围第1项之Ⅲ族氮化物半导体的制 法,其中该固态氮化合物系由距离5公分内之基板 分离出来。 10.如申请专利范围第1项之Ⅲ族氮化物半导体的制 法,其中该基板系由选自由蓝宝石(AlO3)、碳化矽、 矽及Ⅲ/Ⅴ族化合物半导体所组成之族群中的一者 所形成。 11.如申请专利范围第1至10项中任一项之Ⅲ族氮化 物半导体的制法,其中于该基板上形成Ⅲ族氮化物 半导体的步骤系于基板上形成缓冲层的步骤。 12.如申请专利范围第11项之Ⅲ族氮化物半导体的 制法,其中该缓冲层系由GaN或AlN所形成。 13.一种Ⅲ族氮化物半导体,其系由如申请专利范围 第1至12项中任一项之Ⅲ族氮化物半导体制法所获 得。 图式简单说明: 第1图为实例1所述之Ⅲ族氮化物半导体制造装置 的观念示意图。 第2图为实例3所述之Ⅲ族氮化物半导体制造装置 的观念示意图。 第3图为实例4与5的LED堆叠结构图。 第4图为实例4与5的LED电极平面图。 第5图为实例6的LED灯剖面图。 |
