| 主权项 |
1.一种用于形成至少一层有机材料至一分离基板 上之装置,该装置包含: 一有机材料沉积台; 一与该有机材料沉积台协作之有机材料固化台; 一基板传送器,其经组态以在至少该有机材料沉积 台与该有机材料固化台之间输送该基板; 一减压源,其以与该有机材料沉积台真空连通的方 式置放以使得在该有机层至该分离基板上之沉积 的至少一部分期间,运行该减压源以围绕该基板制 造一至少部分抽空之环境;及 一热控制机构,其与该有机材料沉积台及有机材料 固化台之至少一者协作以使得在该基板上形成该 有机材料期间可控制其内之一温度。 2.如请求项1之装置,其进一步包含一控制系统,该 控制系统经组态以调节该有机材料沉积台中之该 温度及压力条件的至少一者。 3.如请求项2之装置,其中该控制系统经组态以调节 该有机材料沉积台中之该温度及压力条件两者。 4.如请求项1之装置,其进一步包含一耦接至该有机 材料沉积台之电浆清洁系统。 5.如请求项4之装置,其中该电浆清洁系统包含: 一流体耦接至该有机材料沉积台之电浆源,该电浆 源经组态以产生一可自该有机材料沉积台化学地 移除残余有机沉积物之反应性物质; 一与该远端电浆源流体连通之耦接端口;及 一与该耦接端口流体连通之电浆外壳。 6.如请求项5之装置,其中该电浆源包含一射频产生 器。 7.如请求项5之装置,其中该电浆源含有一选自由O2 、O3、H2、N2、NF3、CF4、C2F6及C3F8组成之群之前驱 体气体。 8.如请求项1之装置,其进一步包含一遮罩台,该遮 罩台经组态以在沉积该等有机层之至少一者之前 应用一遮罩至该基板。 9.如请求项1之装置,其进一步包含一有机材料计量 及安全系统,其包含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料;及 一与该容器、至少一电脑可装载之演算法及一基 于微处理器之控制器协作的硬体加密密钥,该基于 微处理器之控制器经组态以与该演算法一起运行 以使得在收到一使用者输入及满足编入该硬体加 密密钥中之安全标准后,该有机材料计量及安全系 统指示该有机材料沉积台之至少一部分运行。 10.一种用于沉积材料至一分离基板上之装置,该装 置包含: 一丛集工具,其经组态以沉积至少一无机层至该基 板上; 一直列式工具,其经组态以沉积至少一有机层至该 基板上,该直列式工具操作性地耦接至该丛集工具 ;及 一减压源,其以与至少该直列式工具真空连通的方 式置放以使得在该有机层至该分离基板上之沉积 的至少一部分期间,运行该减压源以围绕该基板制 造一至少部分抽空之环境。 11.如请求项10之装置,其进一步包含一热控制机构, 该热控制机构与该装置协作以使得在沉积该材料 于该基板上期间可控制该丛集工具及该直列式工 具之至少一者中的一温度。 12.如请求项11之装置,其中该直列式工具包含: 一有机材料沉积台; 一与该有机材料沉积台协作之有机材料固化台;及 一基板传送器,其经组态以在至少该有机材料沉积 台与该有机材料固化台之间输送该基板。 13.如请求项12之装置,其中该有机材料沉积台包含: 一有机材料蒸发器; 一与该蒸发器流体连通之有机材料沉积喷嘴;及 一围绕该喷嘴安置之有机材料限制系统。 14.如请求项13之装置,其中该有机材料沉积台界定 一可隔离之内部腔室。 15.如请求项14之装置,其中该可隔离之内部腔室界 定一包含该有机材料限制系统之第一区域及一藉 由一可移动之快门可与该第一区域选择性隔离之 第二区域。 16.如请求项15之装置,其进一步包含一与该第二区 域热连通之冷却装置,该冷却装置经组态以减少该 第一区域中所产生之热负载对该第二区域之影响 。 17.如请求项15之装置,其进一步包含至少一以与该 可隔离之内部腔室热连通之方式安置的冷阱。 18.如请求项15之装置,其进一步包含至少一流体耦 接至该第一及第二区域之至少一者的泵,该至少一 泵经组态以在该有机材料限制系统之该第一或第 二区域的至少一者中提供一局部真空。 19.如请求项18之装置,其中该至少一泵包含一涡轮 分子泵。 20.如请求项10之装置,其中该丛集工具进一步包含 一无机沉积台,该无机沉积台经组态以沉积一第一 层无机材料至该基板上。 21.如请求项10之装置,其中该减压源以与该丛集工 具真空连通的方式置放以使得在该无机层至该分 离基板上之沉积的至少一部分期间,运行该减压源 以围绕该基板制造一至少部分抽空之环境。 22.如请求项10之装置,其进一步包含一与该直列式 工具协作之有机材料计量及安全系统,该有机材料 计量及安全系统包含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料;及 一与该容器、至少一电脑可装载之演算法及一基 于微处理器之控制器协作的硬体加密密钥,该基于 微处理器之控制器经组态以与该演算法一起运行 以使得在收到一使用者输入及满足编入该硬体加 密密钥中之安全标准后,该有机材料计量及安全系 统指示该直列式工具之至少一部分运行。 23.一种用于沉积多层涂层于一分离基板上之工具, 该工具包含: 复数个外围台,其围绕一大体中心之轮毂状区安置 且耦接至彼处以使得该大体中心之轮毂状区可在 该等外围台中之至少一者之间传送该基板,该等复 数个外围台包含: 一障壁层形成台,其经组态以沉积至少一无机层至 该基板上;及 至少一有机层形成台,其经组态为一直列式工具以 沉积至少一有机层至该基板上; 一减压源,其以与该障壁层形成台及该有机层形成 台之至少一者真空连通的方式置放以使得在该多 层涂层至该基板上之沉积的至少一部分期间,运行 该减压源以围绕该基板制造一至少部分抽空之环 境;及 一温度控制装置,其以与该障壁层形成台及该有机 层形成台之至少一者热连通的方式置放以使得在 该多层涂层至该基板上之沉积的至少一部分期间, 运行该温度控制装置以调节该基板之温度。 24.如请求项23之工具,其中该温度控制装置经组态 以减小该基板之温度。 25.如请求项23之工具,其进一步包含至少一置放于 该工具中之遮罩台,该遮罩台经组态以置放至少一 遮罩于该基板上。 26.如请求项23之工具,其中该至少一有机层形成台 包含一单体沉积台、一单体固化台及一经组态以 在至少该单体沉积及固化台之间输送该基板之基 板传送器。 27.如请求项23之工具,其进一步包含一与该直列式 工具协作之有机材料计量及安全系统,该有机材料 计量及安全系统包含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料;及 一与该容器、至少一电脑可装载之演算法及一基 于微处理器之控制器协作的硬体加密密钥,该基于 微处理器之控制器经组态以与该演算法一起运行 以使得在收到一使用者输入及满足编入该硬体加 密密钥中之安全标准后,该有机材料计量及安全系 统指示该直列式工具之至少一部分运行。 28.一种用于沉积一多层涂层于一分离基板上之工 具,该工具包含: 一单体层沉积台,其经组态为一直列式工具以沉积 一至少一有机层至该基板上,该直列式工具操作性 地耦接至该丛集工具; 一与该单体层沉积台协作之障壁层沉积台,该障壁 层沉积台经组态为一丛集工具以沉积一至少一无 机层至该基板上;及 一减压源,其以与该丛集工具及该直列式工具之至 少一者真空连通的方式置放以使得在该多层涂层 至该分离基板上之沉积的至少一部分期间,运行该 减压源以围绕该基板制造一至少部分抽空之环境 。 29.如请求项28之工具,其进一步包含至少一经组态 以固化一藉由该单体层沉积台所沉积之有机层的 固化台。 30.如请求项28之工具,其进一步包含至少一污染减 少装置以控制组成该有机层之材料自产生该材料 之该单体层沉积台迁移。 31.如请求项28之工具,其进一步包含一与该工具协 作之遮罩台,该遮罩台经组态以置放至少一遮罩于 该基板上。 32.如请求项31之工具,其中该遮罩台包含一有机遮 罩置放装置及一无机遮罩置放装置。 33.如请求项28之工具,其中该单体层沉积台及该障 壁层沉积台经组态以沿其中之个别传送路径倒转 该基板以使得可沉积多层该多层涂层。 34.如请求项28之工具,其进一步包含一安置于该单 体层沉积台与该障壁层沉积台之间之环境隔离阀 。 35.如请求项28之工具,其进一步包含至少一表面处 理腔室,该表面处理腔室经组态以增强该多层涂层 之个别层黏着该基板或该多层涂层之一相邻层的 能力。 36.如请求项35之工具,其中该表面处理腔室被安置 于该单体层沉积台中。 37.如请求项36之工具,其中该表面处理腔室包含一 电浆能量源。 38.如请求项36之工具,其中该表面处理腔室包含一 热蒸发装置。 39.如请求项36之工具,其中该热蒸发装置经组态以 沉积一非氧化物材料。 40.如请求项39之工具,其中该非氧化物材料包含氟 化锂或氟化镁之至少一者。 41.如请求项28之工具,其中该障壁层沉积台经组态 以在置放来自该单体层沉积台之一有机层之前置 放一无机层至该基板上。 42.如请求项28之工具,其中该真空源经组态以在沉 积该无机层期间提供与在沉积该有机层期间不同 之真空度。 43.如请求项28之工具,其进一步包含一与该单体层 沉积台协作之有机材料计量及安全系统,该有机材 料计量及安全系统包含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料;及 一与该容器、至少一电脑可装载之演算法及一基 于微处理器之控制器协作的硬体加密密钥,该基于 微处理器之控制器经组态以与该演算法一起运行 以使得在收到一使用者输入及满足编入该硬体加 密密钥中之安全标准后,该有机材料计量及安全系 统指示该单体层沉积台之至少一部分运行。 44.一种封装工具,其经组态以沉积一多层涂层至一 置放于一分散基板上之有机发光二极体上,该封装 工具包含: 一丛集工具,其经组态以沉积一至少一无机层至该 有机发光二极体上; 一直列式工具,其经组态以沉积一至少一有机层至 该有机发光二极体上,该直列式工具操作性地耦接 至该丛集工具;及 一真空源,其耦接至至少该直列式工具以使得在该 有机层至该有机发光二极体上之沉积的至少一部 分期间,运行该真空源以围绕该有机发光二极体制 造一至少部分抽空之环境。 45.如请求项44之封装工具,其进一步包含一耦接至 该丛集工具及该直列式工具中之至少一者的热控 制机构。 46.如请求项44之封装工具,其中该封装工具经组态 以使得该无机或有机层可首先应用至该有机发光 二极体。 47.如请求项44之封装工具,其进一步包含一与该直 列式工具协作之有机材料计量及安全系统,该有机 材料计量及安全系统包含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料;及 一与该容器、至少一电脑可装载之演算法及一基 于微处理器之控制器协作的硬体加密密钥,该基于 微处理器之控制器经组态以与该演算法一起运行 以使得在收到一使用者输入及满足编入该硬体加 密密钥中之安全标准后,该有机材料计量及安全系 统指示该直列式工具之至少一部分运行。 48.一种沉积一多层涂层至一基板上之方法,该方法 包含: 组态一工具以包含: 一丛集区,其经组态以沉积一至少一无机层至该基 板上; 一直列式区,其经组态以沉积一至少一有机层至该 基板上,该直列式区操作性地耦接至该丛集区;及 一减压源,其以与至少该直列式工具真空连通的方 式置放; 将该基板装载于该工具中; 将该无机材料之至少一部分作为该多层涂层之一 组份沉积至该基板上; 运行该减压源以在该有机层至该基板上之沉积的 至少一部分期间围绕该基板制造一至少部分抽空 之环境; 将该有机层之至少一部分作为该多层涂层之一组 份沉积至该基板上;及 固化该经沉积之有机层。 49.如请求项48之方法,其进一步包含在该基板上形 成该多层涂层之一第一层之前处理该基板之至少 一表面以增强该基板与该首先形成之层之间的黏 着。 50.如请求项48之方法,其进一步包含: 在该沉积该无机层之前在该基板上置放一无机遮 罩;及 在沉积该有机层之前在该基板上置放一有机遮罩 。 51.如请求项50之方法,其进一步包含堆叠复数个遮 罩以制造一底切遮罩。 52.如请求项50之方法,其包含在该固化之前移除该 有机遮罩。 53.如请求项50之方法,其中该有机遮罩包含一底切 遮罩。 54.如请求项53之方法,其中该沉积该无机层之至少 一部分至该基板上包含避免已蔓延至由该底切遮 罩界定之一遮蔽区域的该经沉积的有机层的一部 分与实质接触该基板之该底切遮罩的一部分之间 的接触。 55.如请求项48之方法,其进一步包含冷却该工具之 至少一部分以促成对于沉积该有机层之控制。 56.如请求项48之方法,其中在该沉积该有机层之至 少一部分至该基板上之前执行该沉积该无机层之 至少一部分以使得该基板上之第一沉积层为一无 机层。 57.如请求项48之方法,其中在该沉积该有机层之至 少一部分至该基板上之后执行该沉积该无机层之 至少一部分以使得该基板上之第一沉积层为一有 机层。 58.如请求项48之方法,其进一步包含操作一热控制 机构以使得在该沉积期间可控制该丛集工具及该 直列式工具之至少一者中的一温度。 59.如请求项48之方法,其进一步包含操作一有机材 料计量及安全系统,该有机材料计量及安全系统包 含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料;及 一硬体加密密钥,其与该容器、至少一电脑可装载 之演算法及一经组态以与该演算法一起运行之基 于微处理器之控制器协作。 60.一种利用一多层涂层封装一置放于一分散基板 上之有机发光二极体的方法,该方法包含: 组态一封装工具以包含: 一丛集区,其经组态以沉积一至少一无机层至该有 机发光二极体上; 一直列式区,其经组态以沉积一至少一有机层至该 有机发光二极体上,该直列式区操作性地耦接至该 丛集区;及 一耦接至至少该直列式区之真空源; 将该有机发光二极体装载于该封装工具内; 在该有机发光二极体在该无机层沉积台中之时将 该无机层之至少一部分沉积至该有机发光二极体 上; 在该有机发光二极体在该有机层沉积台中之时将 该有机层之至少一部分沉积至该有机发光二极体 上; 运行该真空源以在该有机层至该有机发光二极体 上之沉积的至少一部分期间围绕该有机发光二极 体制造一至少部分抽空之环境;及 固化该经沉积之有机层。 61.如请求项60之方法,其中该有机及无机层之该沉 积重复至少一次。 62.如请求项61之方法,其中该有机及无机层之该沉 积可以一任意顺序执行。 63.如请求项60之方法,其中用于该有机层之有机材 料被以蒸气形式引入该有机层沉积台中。 64.如请求项63之方法,其中该有机材料为一聚合物 前驱体。 65.如请求项63之方法,其中该有机材料为一单体。 66.如请求项60之方法,其中用于该无机层之无机材 料为一陶瓷。 67.如请求项60之方法,其中该固化该经沉积之有机 层包含紫外线固化。 68.如请求项60之方法,其中一第一应用层为一无机 层。 69.如请求项60之方法,其中一最终应用层为一无机 层。 70.如请求项60之方法,其进一步包含在沉积一有机 层于至少一该经沉积之无机层上之前处理该至少 一经沉积之无机层。 71.如请求项70之方法,其中该处理包含应用一电浆 源至该无机层。 72.如请求项60之方法,其进一步包含运行一有机材 料计量及安全系统,该有机材料计量及安全系统包 含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料;及 一硬体加密密钥,其与该容器、至少一电脑可装载 之演算法及一经组态以与该演算法一起运行之基 于微处理器之控制器协作。 73.一种用于沉积一多层涂层至一基板上之工具,该 工具包含: 一封装装置,其包含: 一有机层形成台,其包含: 一有机材料沉积台; 一与该有机材料沉积台协作之有机材料固化台; 一基板传送器,其经组态以在至少该有机材料沉积 台与该有机材料固化台之间传送一基板; 一减压源,其以与该有机材料沉积台真空连通的方 式置放以使得在一有机层至该分散基板上之沉积 的至少一部分期间,运行该减压源以围绕该基板制 造一至少部分抽空之环境;及 一热控制机构,其与该有机材料沉积台及有机材料 固化台之至少一者协作以使得在该基板上形成该 有机材料期间可控制其内之一温度;及 一障壁层形成台,其经组态以置放至少一无机层至 该基板或该基板上所形成之该有机层上,该障壁层 形成台与该有机层形成台互相协作以使得在其运 行后在该基板上形成至少一经封装之组件; 一负载锁,其用于促进该封装装置与该工具之一剩 余部分之间之选择性真空隔离;及 一交换机构,其用于促进该至少一经封装之组件在 该封装装置与该工具之该剩余部分之间的传送。 74.如请求项73之工具,其中该封装装置包含一有机 发光二极体封装装置。 75.如请求项73之工具,其中该交换机构包含一加速 器。 76.如请求项73之工具,其中该障壁层形成台经组态 为一丛集工具且该有机层形成台经组态为一直列 式工具。 77.如请求项73之工具,其中该有机层形成台进一步 包含一清洁系统。 78.如请求项77之工具,其中该清洁系统包含一辉光 放电装置。 79.如请求项73之工具,其进一步包含一与该有机层 沉积台协作之有机材料计量及安全系统,该有机材 料计量及安全系统包含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料;及 一与该容器、至少一电脑可装载之演算法及一基 于微处理器之控制器协作的硬体加密密钥,该基于 微处理器之控制器经组态以与该演算法一起运行 以使得在收到一使用者输入及满足编入该硬体加 密密镜中之安全标准后,该有机材料计量及安全系 统指示该有机材料沉积台之至少一部分运行。 80.一种经组态以调节一施配至一有机材料沉积工 具之有机材料流的有机材料计量及安全系统,该系 统包含一安全有机材料供给套组,该安全有机材料 供给套组包含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料;及 一核对装置,其与该容器协作以使得在满足至少一 安全标准后,该核对装置指示一耦接至该有机材料 沉积工具之源控制单元允许该容器至该有机材料 沉积工具之间之流体流通。 81.如请求项80之系统,其中该核对装置包含一硬体 加密密钥,该硬体加密密钥编有对应于该容器中所 安置之该材料的资讯,该硬体加密密钥经组态以防 止该量之有机材料的未经认可的施配。 82.如请求项80之系统,其进一步包含至少一与该核 对装置及该源控制单元协作之电脑可装载之演算 法,该电脑可装载之演算法经组态以指示该安全有 机材料供给套组响应一使用者输入及该满足至少 一安全标准来施配该量之有机材料。 83.一种经组态以调节一施配至一有机材料沉积工 具之有机材料流的有机材料计量及安全系统,该系 统包含: 一基于微处理器之控制器; 一安全有机材料供给套组,其包含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料;及 一硬体加密密钥,其编有对应于该容器中所安置之 该量有机材料的安全标准,该硬体加密密钥与该容 器及该控制器协作;及 至少一电脑可装载之演算法,其与该硬体加密密钥 及该控制器协作以指示该安全有机材料供给套组 响应一使用者输入及满足至少一安全标准来施配 该量之有机材料的至少一部分。 84.一种用于形成至少一层有机材料至一分散基板 上之装置,该装置包含: 一有机材料沉积台; 一与该有机材料沉积台协作之有机材料固化台; 一基板传送器,其经组态以在至少该有机材料沉积 台与该有机材料固化台之间输送该基板; 一减压源,其以与该有机材料沉积台真空连通的方 式置放以使得在该有机层至该分散基板上之沉积 的至少一部分期间,运行该减压源以围绕该基板制 造一至少部分抽空之环境; 一热控制机构,其与该有机材料沉积台及有机材料 固化台之至少一者协作以使得在该基板上形成该 有机材料期间可控制其内之一温度;及 一有机材料计量及安全系统,其包含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料;及 一核对装置,其与该容器协作以使得在满足至少一 安全标准后,该核对装置允许该容器与该有机材料 沉积台之间之流体流通。 85.一种经组态以沉积一多层涂层至一置放于一分 散基板上之有机发光二极体上的封装工具,该封装 工具包含: 一丛集工具,其经组态以沉积一至少一无机层至该 有机发光二极体上; 一直列式工具,其经组态以沉积一至少一有机层至 该有机发光二极体上,该直列式工具操作性地耦接 至该丛集工具; 一有机层计量及安全系统,其包含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料;及 一核对装置,其与该容器协作以使得在满足至少一 安全标准后,该核对装置允许该容器与该直列式工 具之间之流体流通;及 一真空源,其耦接至至少该直列式工具以使得在该 有机层至该有机发光二极体上之沉积的至少一部 分期间,运行该真空源以围绕该有机发光二极体制 造一至少部分抽空之环境。 86.一种用于沉积一多层涂层至一基板上之工具,该 工具包含: 一封装装置,其包含: 一有机层形成台,其包含: 一有机材料沉积台; 一与该有机材料沉积台协作之有机材料固化台; 一基板传送器,其经组态以在至少该有机材料沉积 台与该有机材料固化台之间输送该基板; 一减压源,其以与该有机材料沉积台真空连通的方 式置放以使得在一有机层至该分散基板上之沉积 的至少一部分期间,运行该减压源以围绕该基板制 造一至少部分抽空之环境; 一热控制机构,其与该有机材料沉积台及有机材料 固化台之至少一者协作以使得在该基板上形成该 有机材料期间可控制其内之一温度; 一有机层计量及安全系统,其包含一包括一定量安 置于其中之有机材料的容器及硬体加密密钥,该硬 体加密密钥与该容器协作以使得在满足至少一安 全标准后,该有机层计量及安全系统允许向该有机 材料沉积台施配该量之有机材料;及 一障壁层形成台,其经组态以置放至少一无机层至 该基板或该基板上所形成之该有机层上,该障壁层 形成台与该有机层形成台互相协作以使得在其运 行后在该基板上形成至少一经封装之组件; 一负载锁,其用于促进该封装装置与该工具之一剩 余部分之间之选择性真空隔离;及 一交换机构,其用于促进该至少一经封装之组件在 该封装装置与该工具之该剩余部分之间的传送。 87.一种沉积一多层涂层至一基板上之方法,该方法 包含: 组态一工具以包含: 一丛集区,其经组态以沉积一至少一无机层至该基 板上; 一直列式区,其经组态以沉积一至少一有机层至该 基板上,该直列式区操作性地耦接至该丛集区; 一与至少该直列式区讯号连通之基于微处理器的 控制器; 一有机材料计量及安全系统,其包含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料;及 一核对装置,其与该容器及该基于微处理器之控制 器协作以使得在满足至少一安全标准后,该核对装 置及该基于微处理器之控制器允许该容器与该直 列式区之间之流体流通;及 一以与至少该直列式区真空连通之方式置放之减 压源; 将该基板装载于该工具中; 将该无机材料之至少一部分作为该多层涂层之一 组份沉积至该基板上; 运行该减压源以在该有机层至该基板上之沉积的 至少一部分期间围绕该基板制造一至少部分抽空 之环境; 将该有机层之至少一部分作为该多层涂层之一组 份沉积至该基板上;及 固化该经沉积之有机层。 88.如请求项87之方法,其中该核对装置为一硬体加 密密钥。 89.一种利用一多层涂层封装一置放于一分散基板 上之有机发光二极体的方法,该方法包含: 组态一封装工具以包含: 一丛集区,其经组态以沉积一至少一无机层至该有 机发光二极体上; 一直列式区,其经组态以沉积一至少一有机层至该 有机发光二极体上,该直列式区操作性地耦接至该 丛集区; 一基于微处理器之控制器; 一有机材料计量及安全系统,其包含: 一容器,其包括一定量安置于其中之有机材料; 一硬体加密密钥,其与该容器及该基于微处理器之 控制器协作以使得在满足至少一安全标准后,该硬 体加密密钥及该基于微处理器之控制器允许该容 器与该直列式区之间之流体流通;及 一耦接至至少该直列式区之真空源; 将该有机发光二极体装载于该封装工具中; 在该有机发光二极体在该无机层沉积台中之时将 该无机层之至少一部分沉积至该有机发光二极体 上; 在该有机发光二极体在该有机层沉积台中之时将 该有机层之至少一部分沉积至该有机发光二极体 上; 运行该真空源以在该有机层至该有机发光二极体 上之沉积的至少一部分期间围绕该有机发光二极 体制造一至少部分抽空之环境;及 固化该经沉积之有机层。 图式简单说明: 图1为根据先前技术之卷筒对卷筒式工具之简化图 ; 图2为根据先前技术之一丛集工具之简化方块图; 图3显示藉由多层涂层封装之物体之剖面图,其中 该等层之沉积系藉由根据本发明之一态样之工具; 图4A为具有根据本发明之一态样之单一有机层沉 积台的直列式封装工具的图解图; 图4B基板在多层沉积制程期间前后横穿图4A之工具 时的位置的图解图,其强调该工具同时处理多批基 板之能力; 图4C显示图4A工具与顺序图表之并置,该顺序图表 显示激活该工具中之各组件以制造一多层涂层的 顺序; 图5A为具有根据本发明之一替代实施例之双有机 层沉积台的直列式封装工具的图解图; 图5B为基板在多层沉积制程期间前后横穿图5A之工 具时的位置的图解图,其强调该工具同时处理多批 基板之能力; 图6为显示封装工具与本发明之控制器及活性器件 沉积装置并置的透视图; 图7为包括丛集及直列式特征之工具之替代实施例 的排列的方块图; 图8为图7工具之丛集区的溅镀台部分的简化代表 图; 图9为穿过该基板行进路径所看到的图8溅镀台的 一部分的正视图; 图10为沿该基板行进路径所看到的图8溅镀台的一 部分的正视图; 图11为图7工具之直列式区之简化代表图; 图12为围绕置放于基板上之对环境敏感之器件的 简化遮罩排列的正视图; 图13A显示用于覆盖基板之先前技术之习知遮罩的 正视图; 图13B显示用于覆盖根据本发明之一实施例之基板 之遮罩的正视图; 图14A显示用于封装置放于根据本发明之一实施例 之刚性基板上的对环境敏感的器件的多层涂层覆 盖物的透视剖面图; 图14B显示由图14A之多层涂层形成之边缘密封的正 视细节图; 图15显示使用图13B之遮罩在基板上形成之边缘密 封的正视细节图; 图16A至图16F显示携带基板之集装架经过图11中所 示之有机层沉积台的各种阶段; 图17A显示描述有机材料沉积效率对基板温度之曲 线图; 图17B显示描述随着多层涂层建立在基板上基板温 度升高之曲线图;及 图18描述有机材料计量及安全系统如何与有机材 料沉积台协作之方块图。 |
