发明名称 | 蚀刻介电层形成接触窗和介层窗之方法以及镶嵌制程 | ||
摘要 | 一种使用导电遮罩蚀刻介电层之方法,首先提供介电层位于基底上,形成图案化之导电遮罩于介电层上并和基底相接触,再利用图案化之导电遮罩对介电层进行乾蚀刻制程,藉以利用导电遮罩分散掉乾蚀刻制程所产生的电荷,故不会蓄积大量电荷在被乾蚀刻的介电层上,进而可有效抑制介电层覆盖之金属内连线以及元件发生爆裂的情况。 | ||
申请公布号 | TW200719391 | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
申请号 | TW094138774 | 申请日期 | 2005.11.04 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 施惠绅 |
分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |