非挥发性记忆体阵列的制造方法及结构

摘要

一种金属-氧化物-氮化物-氧化物-矽积体电路元件，其具有一半导体底材，于底材内形成一浅沟渠隔离区域。一P型井区域形成于此底材内且与此浅沟渠隔离区域邻接。第一字元闸包括第一边缘、第二边缘及第一控制闸、第二控制闸。第二字元闸包括第一边缘、第二边缘及第一控制闸、第二控制闸。一共同埋入位元线形成于P型井区域之内。一高密度电浆介电层形成于此共同埋入位元线上方。此元件具有一平坦化表面。一字元线位于此平坦化表面之上。此字元线与第一字元闸及第二字元闸耦合。此元件更具有一耐火金属层、一硬罩幕层及一覆盖层。