半导体元件与其制造方法

摘要

一种制造应变矽半导体元件的方法，藉以改善磊晶薄膜厚度之不受欢迎的变异。评估本发明所提出之半导体元件的布局与元件配置，以决定相对较低或较高元件密度的区域，来决定局部负载效应(Local-Loading Effect)之缺陷是否可能发生。若此发生缺陷之可能性存在，则可利用虚拟图案(Dummy Pattern)来解决磊晶厚度不均匀之问题。若是如此，则产生适合所提出之半导体元件的虚拟图案，并并入至光罩设计中，再与原先提出之元件配置一起设置在基材上。