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发明名称
回流装置、回流方法,以及半导体元件制造方法
摘要
本发明揭露一种回流装置,其中甲酸用于清洁处理目标上之焊料电极的表面。此回流装置包括一处理室;甲酸引入机构,用于提供含有甲酸之常压气体至此处理室;以及遮蔽构件,其系由抗甲酸之具有抗腐蚀性的材料制成。此遮蔽构件系设置在此处理室之回流处理组件及此处理室的内壁之间。取代遮蔽构件,或除了遮蔽构件之外,此回流装置可包括用于分解残余甲酸的加热器。
申请公布号
TW200719785
申请公布日期
2007.05.16
申请号
TW095106369
申请日期
2006.02.24
申请人
富士通股份有限公司
发明人
松井弘之;松木浩久;大竹幸喜
分类号
H05K3/34(2006.01);B23K1/008(2006.01);B23K31/02(2006.01)
主分类号
H05K3/34(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
日本
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