含金属化合物、其制造方法、含金属之薄膜及其形成方法

摘要

本发明系提供一种适于作为CVD法或ALD法之原料之具有热安定性与适度气化特性之化合物、其制造方法、使用该化合物为原料所形成之薄膜及其形成方法。使通式(2)所表示之化合物与通式(3)所表示之化合物反应来制造通式(1)所表示之化合物，以其作为原料来形成含金属之薄膜。(式中，M表示第四族原子、铝原子、镓原子等，n视情形为2或3，R1及R3表示碳数1~6之烷基等，R2表示碳数1~6之烷基等，R4及R5表示碳数1~4之烷基等，X表示氢原子、锂原子或钠原子，p视情形为1或2，q视情形为4或6)。