发明名称 高功率发光二极体晶片封装结构与制造方法
摘要 本发明提供一种高功率发光二极体晶片的封装结构及其制造方法。封装结构的主要特点底座在于具有一由金属材质与绝缘材料所一体成型构成的底座。该金属材料分别构成一个由底座上表面、以及底座下表面或侧面分别透出的散热座;以及复数个位于该散热座四周适当位置、由底座上表面、以及底座下表面或侧面分别透出的电极。该绝缘材料位于该散热座与电极之间,致使散热座与任一电极、以及任二电极之间是绝缘黏合的。发光二极体晶片即黏固于散热座之上表面,发光二极体晶片的正负电极则以导线分别连接到底座的上表面电极,外部电源经底座的下表面电极、底座上表面电极、与导线向晶片提供电流让此晶片发光,藉此以完全分离电气通道和散热通道的方式来达到极佳的散热效率,另一方面制程上又能大量生产以降低生产成本。
申请公布号 TW200719448 申请公布日期 2007.05.16
申请号 TW094138999 申请日期 2005.11.07
申请人 研晶光电股份有限公司 发明人 林诚;粟华新
分类号 H01L23/28(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L23/28(2006.01)
代理机构 代理人 洪尧顺
主权项
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