SnO系溅镀标靶及其制造方法

摘要

本发明可提供具高相对密度，可防止异常放电或产生微粒等，并且可以高成膜速度形成兼具低比电阻及高穿透率两者之溅镀膜的高性能SnO2系溅镀标靶。该溅镀标靶系藉由包含有在1550~1650℃烧结以SnO2为主成分，并含有合计量为1.15~10质量％之Nb2O5及Ta2O5，且Nb2O5/Ta2O5之含量质量比为0.15~0.90的未烧结成形体的方法制成者。