发明名称 多波长发光元件之奈米粒结构及其制法
摘要 本发明提供一种具有奈米粒之多波长发光元件结构及制法,主要特征系该发光元件结构具有多层堆叠主动层,该主动层可为量子井、单异质或双异质接面结构;该主动层之每一对堆叠层包含低能隙位能井层4与高能隙位能障层3,该发光元件中之奈米粒5,系成长于多层堆叠主动层中较低能隙之位能井层4内;该每一奈米粒所发光波长可以藉由控制奈米粒之元素组成、奈米粒之尺寸及具有量子效应之奈米粒基态或激发态之能量跃迁,而获得一种(含)以上之发光波长。该含奈米粒主动层之发光奈米粒所发射之波长可以为单一发光波长、两种具互补色发光波长或三种三原色以上发光波长,以制作成多波长(包含白光光源)之发光元件;该结构更可以外加萤光体方式,利用上述该含奈米粒主动层之发光波长激发一种(含)以上萤光波长之萤光体,其中奈米粒所发光之波长可参与或不参与萤光体之萤光波长配色,组成具有多波长、白光或全彩之发光元件。
申请公布号 TW200719494 申请公布日期 2007.05.16
申请号 TW094139600 申请日期 2005.11.11
申请人 国立交通大学 发明人 陈卫国;柯文政
分类号 H01L33/00(2006.01);B82B1/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 新竹市大学路1001号