| 发明名称 | 多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件 | ||
| 摘要 | 多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规VDMOS中引入了pn结形成的二极管来耐压和泄放ESD电流。所述pn结由栅/源引出端之间的多晶硅掺杂和体硅掺杂区形成。本发明通过多晶硅/体硅ESD保护结构来承受ESD加在氧化层上的电压，泄放ESD引起的电流，避免器件氧化层介质击穿和器件来流熔化、二次击穿，从而大大提高了器件抗ESD能力。采用本发明还可以制作更多的具有高可靠性及更易操作性的抗ESD功率器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1964069A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200610022263.8 | 申请日期 | 2006.11.15 |
| 申请人 | 四川绵阳信益科技有限公司 | 发明人 | 李泽宏;易黎;张磊 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，如图4所示，包括漏极1，n+(或p+)衬底区2，n-(或p-)外延层3，p(或n)区4，n+(或p+)区5，p+(或n+)区6，二氧化硅层7，掺n(或p)的多晶硅层8，源极9，栅极10。其特征是其掺n(或p)的多晶硅层8部分进入衬底区，利用栅/源引出端之间的多晶硅掺杂和体硅掺杂区的pn结形成的二极管作为器件的ESD保护结构。 | ||
| 地址 | 621000四川省绵阳市科技城科教创业园区孵化大楼B4－07室 | ||